Персона: Рыжук, Роман Валериевич
Загружается...
Email Address
Birth Date
Организационные подразделения
Организационная единица
Институт нанотехнологий в электронике, спинтронике и фотонике
Институт ИНТЭЛ занимается научной деятельностью и подготовкой специалистов в области исследования физических принципов, проектирования и разработки технологий создания компонентной базы электроники гражданского и специального назначения, а также построения современных приборов на её основе.
Наша основная цель – это создание и развитие научно-образовательного центра мирового уровня в области наноструктурных материалов и устройств электроники, спинтроники, фотоники, а также создание эффективной инновационной среды в области СВЧ-электронной и радиационно-стойкой компонентной базы, источников ТГц излучения, ионно-кластерных технологий материалов.
Статус
Руководитель научной группы "Лаборатория дизайна и свч измерений центра радиофотоники и СВЧ-технологий"
Фамилия
Рыжук
Имя
Роман Валериевич
Имя
5 results
Результаты поиска
Теперь показываю 1 - 5 из 5
- ПубликацияТолько метаданныеNitro Derivatives of Silaprismanes as High-Energy Compounds: Theoretical Study(2019) Kochaev, A. I.; Salem, M. A.; Gimaldinova, M. A.; Katin, K. P.; Ryzhuk, R. V.; Kargin, N. I.; Maslov, M. M.; Гимальдинова, Маргарита Александровна; Катин, Константин Петрович; Рыжук, Роман Валериевич; Каргин, Николай Иванович; Маслов, Михаил МихайловичWe present ab initio study of structures and properties of silaprismanes Si2nH2n and their nitro derivatives Si2nH2n-1NO2 (n = 3-10). We found that silaprismane Si10H9NO2 possesses the highest stability among all studied cages. Attached NO2 group results in weak decreasing of the HOMO-LUMO gap. The smaller prismanes bind with NO2 groups more strongly. The comparison between silaprismanes and carbon prismanes is also discussed.
- ПубликацияТолько метаданныеParametrization of a Microwave and the Noise Model of a Metamorphic 0.15 µm MHET InAlAs/InGaAs Transistor(2021) Gorelov, A. A.; Lokotko, V. V.; Kargin, N. I.; Vasilievsky, I. S.; Grishakov, K. S.; Ryzhuk, R. V.; Горелов, Андрей Алексеевич; Каргин, Николай Иванович; Васильевский, Иван Сергеевич; Гришаков, Константин Сергеевич; Рыжук, Роман Валериевич© 2021, Pleiades Publishing, Ltd.Abstract: AlGaAs MHEMT transistors are studied in the microwave frequency range with a gate length of 0.15 μm. It is found that the discrepancy between the experimental and theoretically calculated, within the model, S-parameters does not exceed 0.5% in the frequency range from 1 to 30 GHz. The static characteristics of the device are satisfactorily described by the indicated model in the voltage range of the runoff up to 2.5 V. For the analysis of the noise characteristics, the Fukui model is used. It is found that the influence of the parasitic drain capacitance and the values of the drain and source inductances do not significantly affect the noise characteristics of the transistor, and an increase in the parasitic capacitance and a decrease in the parasitic gate inductance can lead to a significant reduction in the high-frequency noise figure.
- ПубликацияТолько метаданныеDesign of a Nonlinear Model of a Pseudomorphic 0.15 μm рHEMT AlGaAs/InGaAs/GaAs Transistor(2023) Tsunvaza, D.; Ryzhuk, R. V.; Vasil'evskii, I. S.; Kargin, N. I.; Klokov, V. A.; Цунваза, Дамир; Рыжук, Роман Валериевич; Васильевский, Иван Сергеевич; Каргин, Николай Иванович; Клоков, Владимир Александрович
- ПубликацияТолько метаданныеAnalysis of Carrier Scattering Mechanisms in AlN/GaN HEMT Heterostructures with an Ultrathin AlN Barrier(2024) Gusev, A. S.; Sultanov, A. O.; Katkov, A. V.; Ryndya, S. M.; Siglovaya, N. V.; Klochkov, A. N.; Ryzhuk, R. V.; Kargin, N. I.; Borisenko, D. P.; Гусев, Александр Сергеевич; Султанов, Азрет Оюсович; Катков, Андрей Викторович; Рындя, Сергей Михайлович; Сигловая, Наталия Владимировна; Клочков, Алексей Николаевич; Рыжук, Роман Валериевич; Каргин, Николай Иванович; Борисенко, Денис Петрович
- ПубликацияТолько метаданныеIII-nitride HEMT Heterostructures with Ultrathin AlN Barrier: Obtaining and Experimental Application(2024) Gusev, A. S.; Sultanov, A. O.; Ryzhuk, R. V.; Nevolina, T. N.; Tsunvaza, D.; Safaraliev, G. K.; Kargin, N. I.; Гусев, Александр Сергеевич; Султанов, Азрет Оюсович; Рыжук, Роман Валериевич; Неволина, Татьяна Николаевна; Цунваза, Дамир; Сафаралиев, Гаджимет Керимович; Каргин, Николай Иванович