Персона:
Чубунов, Павел Александрович

Profile Picture
Email Address
Birth Date
Научные группы
Организационные подразделения
OrgUnit Logo
Организационная единица
Институт нанотехнологий в электронике, спинтронике и фотонике
Институт ИНТЭЛ занимается научной деятельностью и подготовкой специалистов в области исследования физических принципов, проектирования и разработки технологий создания компонентной базы электроники гражданского и специального назначения, а также построения современных приборов на её основе. ​Наша основная цель – это создание и развитие научно-образовательного центра мирового уровня в области наноструктурных материалов и устройств электроники, спинтроники, фотоники, а также создание эффективной инновационной среды в области СВЧ-электронной и радиационно-стойкой компонентной базы, источников ТГц излучения, ионно-кластерных технологий материалов.​
Статус
Фамилия
Чубунов
Имя
Павел Александрович
Имя

Фильтры

20192
2
Сброс фильтров

Настройки

Имеет файлы: No ×

Результаты поиска

Теперь показываю 1 - 2 из 2
Уменьшенное изображение
Публикация
Только метаданные

Simulation of annealing and the ELDRS in p-MNOS RadFETs

2019, Maslovsky, V. M., Mrozovskaya, E. V., Zimin, P. A., Chubunov, P. A., Zebrev, G. I., Мрозовская, Елизавета Владимировна, Чубунов, Павел Александрович, Зебрев, Геннадий Иванович

© 2019 by Begell House, Inc.The manifestation of simultaneous annealing in p-MNOS (metal–nitride–oxide‑semiconductor) samples with thick oxide and a pronounced effect of enhanced low-dose-rate sensitivity (ELDRS) are investigated. The simulation was based on experimental data.

Просмотр
Уменьшенное изображение
Публикация
Только метаданные

Compact modeling of electrical characteristics of p-MNOS based RADFETs

2019, Mrozovskaya, E., Zimin, P., Chubunov, P., Zebrev, G., Мрозовская, Елизавета Владимировна, Чубунов, Павел Александрович, Зебрев, Геннадий Иванович

© 2019 SPIE. We simulated in this work the electrical characteristics of p-MNOS based dosimeters before and after irradiation. The parameters of dose sensitivity for the samples irradiated in the different electric modes of operation were obtained. A good agreement between simulation and the measurement results was shown.

Просмотр