Персона:
Чубунов, Павел Александрович

Profile Picture
Email Address
Birth Date
Научные группы
Организационные подразделения
OrgUnit Logo
Организационная единица
Институт нанотехнологий в электронике, спинтронике и фотонике
Институт ИНТЭЛ занимается научной деятельностью и подготовкой специалистов в области исследования физических принципов, проектирования и разработки технологий создания компонентной базы электроники гражданского и специального назначения, а также построения современных приборов на её основе. ​Наша основная цель – это создание и развитие научно-образовательного центра мирового уровня в области наноструктурных материалов и устройств электроники, спинтроники, фотоники, а также создание эффективной инновационной среды в области СВЧ-электронной и радиационно-стойкой компонентной базы, источников ТГц излучения, ионно-кластерных технологий материалов.​
Статус
Фамилия
Чубунов
Имя
Павел Александрович
Имя

Фильтры

20192
2
Сброс фильтров

Настройки

Start date: 2019 × Имеет файлы: No ×

Результаты поиска

Теперь показываю 1 - 2 из 2
  • Уменьшенное изображение
    Публикация
    Только метаданные
    Simulation of annealing and the ELDRS in p-MNOS RadFETs
    (2019) Maslovsky, V. M.; Mrozovskaya, E. V.; Zimin, P. A.; Chubunov, P. A.; Zebrev, G. I.; Мрозовская, Елизавета Владимировна; Чубунов, Павел Александрович; Зебрев, Геннадий Иванович
    © 2019 by Begell House, Inc.The manifestation of simultaneous annealing in p-MNOS (metal–nitride–oxide‑semiconductor) samples with thick oxide and a pronounced effect of enhanced low-dose-rate sensitivity (ELDRS) are investigated. The simulation was based on experimental data.
  • Уменьшенное изображение
    Публикация
    Только метаданные
    Compact modeling of electrical characteristics of p-MNOS based RADFETs
    (2019) Mrozovskaya, E.; Zimin, P.; Chubunov, P.; Zebrev, G.; Мрозовская, Елизавета Владимировна; Чубунов, Павел Александрович; Зебрев, Геннадий Иванович
    © 2019 SPIE. We simulated in this work the electrical characteristics of p-MNOS based dosimeters before and after irradiation. The parameters of dose sensitivity for the samples irradiated in the different electric modes of operation were obtained. A good agreement between simulation and the measurement results was shown.