Персона: Чубунова, Елена Витальевна
Загружается...
Email Address
Birth Date
Научные группы
Организационные подразделения
Организационная единица
Институт лазерных и плазменных технологий
Стратегическая цель Института ЛаПлаз – стать ведущей научной школой и ядром развития инноваций по лазерным, плазменным, радиационным и ускорительным технологиям, с уникальными образовательными программами, востребованными на российском и мировом рынке образовательных услуг.
Статус
Фамилия
Чубунова
Имя
Елена Витальевна
Имя
2 results
Результаты поиска
Теперь показываю 1 - 2 из 2
- ПубликацияОткрытый доступСпектроскопическое исследование кристаллических пленок неона, выращенных на золотой подложке(2023) Курельчук, У. Н.; Борисюк, П. В.; Чубунова, Е. В.; Домашенко, М. С.; Каражанов, С. Ж.; Колачевский, Н. Н.; Лебединский, Ю. Ю.; Мызин, Д. А.; Николаев, А. В.; Ткаля, Е. В.; Ткаля, Евгений Викторович; Мызин, Дмитрий Анатольевич; Чубунова, Елена Витальевна; Борисюк, Петр Викторович; Лебединский, Юрий Юрьевич; Николаев, Александр Васильевич; Курельчук, Ульяна НиколаевнаПленка кристаллического неона была конденсирована на подложке из золота и измерен спектр характеристических потерь энергии обратно рассеянных электронов (СХПЭ) при температуре 5К. Также были теоретически исследовано конденсированное ГЦК-состояние неона методами теории функционала плотности и многочастичной теории возмущений, приближения случайных фаз и уравнения Бете−Салпетера. Теоретический спектр СХПЭ был рассчитан как в приближении независимых электронов, так и с учетом многочастичных эффектов – экранирования локального поля, появления электронно-дырочных пар и связанных состояний (экситонов). Получена ширина запрещенной зоны – 21.5 эВ. Показано, что в СХПЭ неона пики потерь энергии от 17.8 до 21.5 эВ являются чисто экситонными. Кристаллическая пленка неона, являясь широкозонным диэлектриком, рассматривается как перспективный материал для имплантации Th и изучения уникального ядерного перехода в 229Th с энергией 8.2 эВ.
- ПубликацияТолько метаданныеA Unique System for Registering One-Photon Signals in the Ultraviolet Range from An Isomeric 229mTh Nucleus Implanted on Thin SiO2/Si Films(2020) Lebedinskii, Y. Y.; Borisyuk, P. V.; Chubunova, E. V.; Kolachevsky, N. N.; Vasiliev, O. S.; Tkalya, E. V.; Лебединский, Юрий Юрьевич; Борисюк, Петр Викторович; Чубунова, Елена Витальевна; Васильев, Олег Станиславович; Ткаля, Евгений Викторович© 2019 WILEY-VCH Verlag GmbH & Co. KGaA, WeinheimCurrently, an urgent task related to creating a nuclear frequency standard is the identification of a low-lying nuclear state in the thorium-229 isotope. Herein, a method for measuring the single-photon energy during the decay of an isomeric thorium-229 nucleus implanted in a wide-gap dielectric SiO2 (Eg = 9 eV) is developed. The proposed method utilizes thin silicon oxide layers obtained by thermal oxidization of the pure silica wafers, which allows measurement of the energy of photons in the ultraviolet (UV) range using an electronic spectrometer. The modeling study of electronic state excitation is provided via UV radiation from Kr, Xe, and D resonance discharging lamps. The obtained spectra are analyzed, and a method for determining the UV photon's energy is proposed.