Персона: Кузнецов, Андрей Петрович
Загружается...
Email Address
Birth Date
Научные группы
Организационные подразделения
Организационная единица
Институт лазерных и плазменных технологий
Стратегическая цель Института ЛаПлаз – стать ведущей научной школой и ядром развития инноваций по лазерным, плазменным, радиационным и ускорительным технологиям, с уникальными образовательными программами, востребованными на российском и мировом рынке образовательных услуг.
Статус
Фамилия
Кузнецов
Имя
Андрей Петрович
Имя
3 results
Результаты поиска
Теперь показываю 1 - 3 из 3
- ПубликацияОткрытый доступСИСТЕМА ЛАЗЕРНОЙ ОЧИСТКИ ПОВЕРХНОСТИ ЗЕРКАЛ ОПТИЧЕСКИХ ДИАГНОСТИК НА ИТЭР(НИЯУ МИФИ, 2015) Савченков, А. В.; Губский, К. Л.; Кузнецов, А. П.; Никитина, Е. И.; Тугаринов, С. Н.; Бужинский, О. И.; Кузнецов, Андрей Петрович; Губский, Константин ЛеонидовичThe development of cleaning optics and deposition-mitigating techniques is a key factor in the construction and operation of optical diagnostics in ITER. It has been shown that high initial reflection characteristics of optical elements can be recovered by choosing regimes of fiber laser radiation effect on the deposited surface. Experiments on transport of fiber laser radiation to the metal mirror by using system of lens and cleaning showed the possibility of a hardware implementation of methods applicable in the geometry of port-plug ITER.
- ПубликацияОткрытый доступСПОСОБ СОЗДАНИЯ ВЫСОКОАСПЕКТНЫХ ПРОТЯЖЕННЫХ СТРУКТУР С ДИАМЕТРАМИ СУБМИКРОННЫХ РАЗМЕРОВ В ДИЭЛЕКТРИЧЕСКОМ КРИСТАЛЛЕ ФЕМТОСЕКУНДНЫМИ РЕНТГЕНОВСКИМИ ИМПУЛЬСАМИ(НИЯУ МИФИ, 2024) Пикуз, С. А.; Макаров, С. С.; Пикуз, Т. А.; Кузнецов, А. П.; Кузнецов, Андрей ПетровичИзобретение относится к нанотехнологиям и микроструктурным технологиям. Сущность изобретения заключается в том, что способ создания протяженных полостей с диаметрами субмикронных размеров в кристалле LiF с помощью когерентных рентгеновских импульсов заключается в прошивке отверстия в кристалле LiF лазерным методом за счет наведения фокального пятна на поверхность кристалла и перемещения этого пятна с микронной точностью по поверхности кристалла, при этом для получения глубоких полостей с диаметрами субмикронных размеров в кристалле LiF используют когерентные фемтосекундные (20 фс) рентгеновские импульсы с длиной волны фотонов λ, равной 1,3776 Å, при которой длина затухания в структуре LiF равна 475 мкм. Изобретение обеспечивает возможность упрощения способа создания протяженных полостей субмикронного диаметра с аспектным соотношением порядка 1:1800 в кристалле LiF для создания фотонных кристаллов и фотонных волноводов. 1 з.п. ф-лы, 4 ил., 1 пр.
- ПубликацияОткрытый доступЛазерная интерферометрия в диагностике импульсной плазмы(НИЯУ МИФИ, 2012) Кузнецов, А. П.; Кузнецов, Андрей Петрович