(НИЯУ МИФИ, 2021) КУЛАГИН, В. В.; СИНЕЛЬНИКОВ, Д. Н.; БУЛГАДАРЯН, Д. Г.; ХАРЬКОВ, М. М.; Синельников, Дмитрий Николаевич; Харьков, Максим Михайлович
Представлен обзор и анализ опубликованных экспериментальных данных по облучению поверхности вольфрама ионами гелиевой плазмы при добавлении потока перепыленного вольфрама (W). Показано, что включение W в поток облучения ведет к значительному повышению скорости роста вольфрамового пуха по сравнению со случаем чистого гелиевого облучения. Ускоренный рост проявляется при достижении значительной пористости сформированных структур. В данном случае формирование наноструктур на поверхности вольфрама перестает быть ограниченным диффузией. На основе опубликованных литературных данных получена оценка потока вольфрама, при которой эффект ускорения роста может проявиться.