Publication: Особенности мощных однозарядных фотодиодов на основе гетероструктур InGaAs/InP
Файлы
Дата
2023
Авторы
Брагин, Н. Н.
Светогоров, В. Н.
Рябоштан, Ю. Л.
Мармалюк, А. А.
Иванов, А. В.
Ладугин, М. А.
Journal Title
Квантовая электроника
Journal ISSN
Volume Title
Квантовая электроника
Издатель
Аннотация
Проведено сравнение традиционных pin-фотоприемников и современных однозарядных фотоприемников на основе гетероструктур InGaAs/InP. Рассмотрены различия конструкций гетероструктур данных приемников и проанализированы вызванные этим особенности их функционирования. Показано, что при сравнимой фоточувствительности фототок насыщения однозарядных фотоприемников приблизительно в четыре раза больше, чем в традиционных pinфотоприемниках. Приборы с диаметром фоточувствительной площадки 40 мкм достигали тока насыщения при входной оптической мощности 10 – 12 и 60 – 70 мВт для pin- и однозарядных фотоприемников соответственно (обратное напряжение смещения 5 В).
Описание
Ключевые слова
Фототок насыщения , Однозарядный фотодиод , Pin-фотодиод , Мощные фотодиоды , InGaAs/InP , Гетероструктура