Publication:
Исследование влияния параметров роста активных слоёв на характеристики MHEMT транзисторных гетероструктур на основе InGaAs/InAlAs

Простая страница элемента
dc.contributor.advisorВасильевский Иван Сергеевич
dc.contributor.authorСергеев, М. Ю.
dc.date.accessioned2025-02-13T10:05:02Z
dc.date.available2025-02-13T10:05:02Z
dc.date.issued2015
dc.descriptionУровень образования: бакалавриат; Код направления/специальности: 140800; Группа: Т08-67А
dc.identifier.citationСергеев, М. Ю. Исследование влияния параметров роста активных слоёв на характеристики MHEMT транзисторных гетероструктур на основе InGaAs/InAlAs : Выпускная квалификационная работа, бакалавриат, 140800 / М. Ю. Сергеев ; рук. работы Васильевский Иван Сергеевич, 2015
dc.identifier.urihttps://openrepository.mephi.ru/handle/123456789/36485
dc.languageruru
dc.subjectВКР
dc.subjectВыпускная квалификационная работа
dc.titleИсследование влияния параметров роста активных слоёв на характеристики MHEMT транзисторных гетероструктур на основе InGaAs/InAlAs
dc.typeВКР
dspace.entity.typePublication
Файлы
Коллекции
Выпускные квалификационные работы