Publication:
Simulation of low energy ion implantation in silicon

Дата
2019
Авторы
Veselov, D. S.
Voronov, Y. A.
Metel, Yu. V.
Journal Title
Journal ISSN
Volume Title
Издатель
Научные группы
Организационные подразделения
OrgUnit Logo
Организационная единица
Институт нанотехнологий в электронике, спинтронике и фотонике
Институт ИНТЭЛ занимается научной деятельностью и подготовкой специалистов в области исследования физических принципов, проектирования и разработки технологий создания компонентной базы электроники гражданского и специального назначения, а также построения современных приборов на её основе. ​Наша основная цель – это создание и развитие научно-образовательного центра мирового уровня в области наноструктурных материалов и устройств электроники, спинтроники, фотоники, а также создание эффективной инновационной среды в области СВЧ-электронной и радиационно-стойкой компонентной базы, источников ТГц излучения, ионно-кластерных технологий материалов.​
Выпуск журнала
Аннотация
© 2019 Published under licence by IOP Publishing Ltd. This report is devoted to simulation of distributions of boron and indium ions implanted into the silicon substrates with energies up to 10 keV. The simulation was conducted immediately after implantation and after subsequent annealing in inert and oxidizing ambient. Post-implant and post-anneal distributions of impurities concentration versus depth were obtained. It was demonstrated, that the super-steep retrograde distribution of indium in silicon is provided exactly by the annealing in an oxidizing ambient. Also, it was demonstrated, that the annealing does not provide the super-steep retrograde distribution of boron in silicon. Thus, it was shown, that indium doping of gate region contributes to suppression of the short-channel effects in nanoscale MOSFETs, unlike boron doping.
Описание
Ключевые слова
Цитирование
Veselov, D. S. Simulation of low energy ion implantation in silicon / Veselov, D.S., Voronov, Y.A., Metel, Yu.V. // IOP Conference Series: Materials Science and Engineering. - 2019. - 498. - № 1. - 10.1088/1757-899X/498/1/012035
URI
https://www.doi.org/10.1088/1757-899X/498/1/012035
 https://www.scopus.com/record/display.uri?eid=2-s2.0-85065581346&origin=resultslist
 http://gateway.webofknowledge.com/gateway/Gateway.cgi?GWVersion=2&SrcAuth=Alerting&SrcApp=Alerting&DestApp=WOS_CPL&DestLinkType=FullRecord&UT=WOS:000472784800035
 https://openrepository.mephi.ru/handle/123456789/17958
Коллекции
Публикации