Publication: Лазерные диоды (850 нм) на основе асимметричной AlGaAs/GaAs-гетероструктуры с объемной активной областью для генерации мощных субнаносекундных оптических импульсов
Файлы
Дата
2023
Авторы
Подоскин, А. А.
Шушканов, И. В.
Шамахов, В. В.
Ризаев, А. Э.
Кондратов, М. И.
Климов, А. А.
Зазулин, С. В.
Слипченко, С. О.
Пихтин, Н. А.
Journal Title
Journal ISSN
Volume Title
Издатель
Аннотация
Разработаны и исследованы лазерные диоды, изготовленные на основе асимметричной гетероструктуры AlGaAs/GaAs с объемной активной областью, оптимизированной для генерации мощных субнаносекундных оптических импульсов в режиме модуляции усиления. Оптимизация конструкции асимметричной гетероструктуры позволила получить параметр d/Г = 4.2 мкм (при толщине объемной активной области GaAs d = 45 нм и факторе оптического ограничения Г = 1.08 %). Разработанные лазерные диоды с широкой излучающей апертурой (100 мкм) в режиме модуляции усиления продемонстрировали пиковую выходную оптическую мощность 22 Вт при длительности одиночного импульса на полувысоте менее 110 пс.
Описание
Ключевые слова
Цитирование
А. А. Подоскин, И. В. Шушканов, В. В. Шамахов, А. Э. Ризаев, М. И. Кондратов, А. А. Климов, С. В. Зазулин, С. О. Слипченко, Н. А. Пихтин, “Лазерные диоды (850 нм) на основе асимметричной AlGaAs/GaAs-гетероструктуры с объемной активной областью для генерации мощных субнаносекундных оптических импульсов”, Квантовая электроника, 53:1 (2023), 1–5