Publication: Влияние контактной металлизации на тепловое сопротивление и качество излучения мощного многомодового лазерного диода
Дата
2025
Авторы
Нажметов, С. Х.
Фомин, А. В.
Journal Title
Квантовая электроника
Journal ISSN
Volume Title
Квантовая электроника
Издатель
Аннотация
Проведено численное моделирование теплового поля лазерного диода (ЛД) с выходной оптической мощностью 15 Вт и КПД 59% спектрального диапазона 915 – 920 нм. Подтверждено наличие теплового барьера между чипом ЛД и сабмаунтом, получена оценка коэффициента теплопередачи 0.76 Вт/(м2×K). Предложен метод снижения максимальной температуры активной области ЛД с одновременным улучшением качества излучения путем введения перед тепловым барьером слоя, распределяющего тепло в латеральном направлении. Оценена минимально необходимая толщина распределяющего слоя. Расчетное снижение теплового сопротивления и температуры составило не менее 10% и 3 K соответственно.
Описание
Ключевые слова
Качество излучения , Тепловой барьер , Тепловое сопротивление , Тепловая модель , Сабмаунт , Лазерный диод
Цитирование
Нажметов С. Х. Влияние контактной металлизации на тепловое сопротивление и качество излучения мощного многомодового лазерного диода / Нажметов С. Х., Фомин А. В. // Квантовая электроника . - 2025 .- 55 .- 5 . - С. 267-270