Publication:
Degradation of AIIIBV/Ge triple junction solar cells irradiated by gamma-rays, electrons and neutrons

Дата
2021
Авторы
Ryabtseva, M. V.
Voevodkin, G. S.
Tapero, K. I.
Vagapova, N. T.
Petrov, A. S.
Journal Title
Journal ISSN
Volume Title
Издатель
Научные группы
Организационные подразделения
OrgUnit Logo
Организационная единица
Институт нанотехнологий в электронике, спинтронике и фотонике
Институт ИНТЭЛ занимается научной деятельностью и подготовкой специалистов в области исследования физических принципов, проектирования и разработки технологий создания компонентной базы электроники гражданского и специального назначения, а также построения современных приборов на её основе. ​Наша основная цель – это создание и развитие научно-образовательного центра мирового уровня в области наноструктурных материалов и устройств электроники, спинтроники, фотоники, а также создание эффективной инновационной среды в области СВЧ-электронной и радиационно-стойкой компонентной базы, источников ТГц излучения, ионно-кластерных технологий материалов.​
Выпуск журнала
Аннотация
© 2021The paper presents the results of irradiation of the triple junction solar cell (SC) based on perspective InGaP/InGaAs/Ge semiconductor structure with Ge-substrate by electrons, neutrons and gamma-rays. The electrical and spectral characteristics of the SC were investigated before and after each stage of irradiation. Results show that degradation curves obtained with different types of radiation sources collapse to a single characteristic curve, if they are presented as dependences on displacement damage doses (DDD). It can be considered as the basis for prediction of SC lifetime in space radiation conditions. The proposed methodology develops NRL method. Paper also presents the degradation of each subcell from SC and shows that the InGaAs subcell is the most vulnerable to irradiation due to SC design features.
Описание
Ключевые слова
Цитирование
Degradation of AIIIBV/Ge triple junction solar cells irradiated by gamma-rays, electrons and neutrons / Ryabtseva, M.V. [et al.] // Microelectronics Reliability. - 2021. - 125. - 10.1016/j.microrel.2021.114350
URI
https://www.doi.org/10.1016/j.microrel.2021.114350
 https://www.scopus.com/record/display.uri?eid=2-s2.0-85113915079&origin=resultslist
 http://gateway.webofknowledge.com/gateway/Gateway.cgi?GWVersion=2&SrcAuth=Alerting&SrcApp=Alerting&DestApp=WOS_CPL&DestLinkType=FullRecord&UT=WOS:000704765600006
 https://openrepository.mephi.ru/handle/123456789/24653
Коллекции
Публикации