Publication:
Mechanisms of carrier lifetime enhancement and conductivity-type switching on hydrogen-incorporated arsenic-doped BaSi2

Дата
2021
Авторы
Aonuki, S.
Xu, Z.
Yamashita, Y.
Gotoh, K.
Migas, D. B.
Journal Title
Journal ISSN
Volume Title
Издатель
Научные группы
Организационные подразделения
OrgUnit Logo
Организационная единица
Институт нанотехнологий в электронике, спинтронике и фотонике
Институт ИНТЭЛ занимается научной деятельностью и подготовкой специалистов в области исследования физических принципов, проектирования и разработки технологий создания компонентной базы электроники гражданского и специального назначения, а также построения современных приборов на её основе. ​Наша основная цель – это создание и развитие научно-образовательного центра мирового уровня в области наноструктурных материалов и устройств электроники, спинтроники, фотоники, а также создание эффективной инновационной среды в области СВЧ-электронной и радиационно-стойкой компонентной базы, источников ТГц излучения, ионно-кластерных технологий материалов.​
Выпуск журнала
Аннотация
© 2021 Elsevier B.V.A comparative experimental and theoretical study of the role of H incorporation in As-doped BaSi2 films has been carried out based on the experimental results that an optimal time of H treatment for the increase in photoresponsivity and carrier lifetime was in the range of 1 – 20 min. Adequate theoretical representation of the decay curves in the framework of the model for non-radiative processes accounted for various trap-related recombination mechanisms to estimate the trap concentration to be in the range of 1.9 × 1013 to 1.7 × 1014 cm−3. Additionally, the extended theoretical ab initio quantum-chemical simulation of the electronic structure of the studied systems was performed. It was revealed that interstitial As atoms can mostly provide trap states in the gap while H atoms neutralize such traps. The experimentally observed unexpected switching in conductivity from n-type to p-type and vice versa in As-doped BaSi2 with H incorporation was explained to specific configurations of point defects (an As impurity with a H atom in different positions and various interatomic As-H distances) which affect the position of states in the gap.
Описание
Ключевые слова
Цитирование
Mechanisms of carrier lifetime enhancement and conductivity-type switching on hydrogen-incorporated arsenic-doped BaSi2 / Aonuki, S. [et al.] // Thin Solid Films. - 2021. - 724. - 10.1016/j.tsf.2021.138629
URI
https://www.doi.org/10.1016/j.tsf.2021.138629
 https://www.scopus.com/record/display.uri?eid=2-s2.0-85102561307&origin=resultslist
 http://gateway.webofknowledge.com/gateway/Gateway.cgi?GWVersion=2&SrcAuth=Alerting&SrcApp=Alerting&DestApp=WOS_CPL&DestLinkType=FullRecord&UT=WOS:000636286500001
 https://openrepository.mephi.ru/handle/123456789/23791
Коллекции
Публикации