Publication:
3D Silicon Photonic Structures Based on Avalanche LED with Interconnections through Optical Interposer

Дата
2019
Авторы
Leshok, A. A.
Kozlova, T. A.
Dolbik, A. V.
Le Dinh Vi
Lazarouk, S. K.
Labunov, V. A.
Journal Title
Journal ISSN
Volume Title
Издатель
Научные группы
Организационные подразделения
Организационная единица
Институт нанотехнологий в электронике, спинтронике и фотонике
Институт ИНТЭЛ занимается научной деятельностью и подготовкой специалистов в области исследования физических принципов, проектирования и разработки технологий создания компонентной базы электроники гражданского и специального назначения, а также построения современных приборов на её основе. ​Наша основная цель – это создание и развитие научно-образовательного центра мирового уровня в области наноструктурных материалов и устройств электроники, спинтроники, фотоники, а также создание эффективной инновационной среды в области СВЧ-электронной и радиационно-стойкой компонентной базы, источников ТГц излучения, ионно-кластерных технологий материалов.​
Организационная единица
Инженерно-физический институт биомедицины
Цель ИФИБ и стратегия развития – это подготовка высококвалифицированных кадров на базе передовых исследований и разработок новых перспективных методов и материалов в области инженерно-физической биомедицины. Занятие лидерских позиций в биомедицинских технологиях XXI века и внедрение их в образовательный процесс, что отвечает решению практикоориентированной задачи мирового уровня – диагностике и терапии на клеточном уровне социально-значимых заболеваний человека.
Выпуск журнала
Аннотация
Design and manufacturing technology of 3D silicon photonic structures with optical interconnections through microchannel vias interposers were developed. Silicon chips placed over each other were separated by the silicon microchannel vias interposer served as a light wave-guide. Light emitting diodes and photodiodes were formed at the inner surfaces of silicon chips from nanostructured silicon clusters embedded into alumina matrix. The developed structure is characterized by the current conversion efficiency of 0.1% and can operate in the GHz frequency range.
Описание
Ключевые слова
Цитирование
3D Silicon Photonic Structures Based on Avalanche LED with Interconnections through Optical Interposer / Leshok, AA [et al.] // International Journal of Nanoscience. - 2019. - 18. - № 3-4. - 10.1142/S0219581X1940091X
Коллекции