Publication: Разработка и исследование мощных лазерных диодов спектрального диапазона 960– 980 нм на основе InGaAs/AlGaAs/GaAs
Файлы
Дата
2023
Авторы
Фомин, А. В.
Ершов, Е. В.
Крюков, С. А.
Journal Title
Квантовая электроника
Journal ISSN
Volume Title
Квантовая электроника
Издатель
Аннотация
В рамках разработки мощных многомодовых лазерных диодов спектрального диапазона 960 – 980 нм проведена оптимизация гетероструктуры и мезаполосковой конструкции чипа лазерного диода с целью повышения выходной мощности излучения и КПД. Исследовано влияние увеличения энергетической глубины квантовой ямы, легирования волноводных слоев и уменьшения толщины p-эмиттера на выходные характеристики лазерных диодов. В конструкцию чипа внедрены технические решения, позволившие минимизировать тепловую нагрузку на зеркала резонатора. Проведенная оптимизация позволила повысить рабочую выходную мощность излучения лазерных диодов до 11.6 Вт при токе 12 А,
максимальный КПД при этом составил 63%.
Описание
Ключевые слова
выходная мощность излучения , квантовая яма , гетероструктура , резонатор , лазерный диод