Publication: Функционализация монокристаллического алмаза эксимерным лазером: создание NV-центров и наноабляция поверхности
Дата
2025
Авторы
Комленок, М. С.
Дежкина, М. А.
Пашинин, В. П.
Кононенко, В. В.
Конов, В. И.
Килин, С. Я.
Journal Title
Квантовая электроника
Journal ISSN
Volume Title
Квантовая электроника
Издатель
Аннотация
Впервые продемонстрирована возможность генерации центров окраски типа азот-вакансия (NV-центры) в алмазе при продолжительном воздействии на поверхность кристалла наносекундными УФ импульсами (193 нм и 248 нм, 20 нс). Для KrF-лазера определено пороговое значение графитизации (33 Дж/см2) CVD-кристалла алмаза и измерены скорости наноабляционного (фотоокислительного) травления поверхности, развивающегося ниже указанного порога. Исследованы зависимости интенсивности сигнала фотолюминесценции NV-центров от числа лазерных импульсов и плотности энергии при воздействии KrF-лазера. Получено усиление интенсивности NV0-линии в 17 раз после лазерного воздействия на длине волны 248 нм с плотностью энергии 25 Дж/см2. Ключевые слова: алмаз, центры окраски, NV-центры, лазерная наноабляция.
Описание
Ключевые слова
Лазерная наноабляция , NV-центры , Центры окраски , Алмаз
Цитирование
Функционализация монокристаллического алмаза эксимерным лазером: создание NV-центров и наноабляция поверхности / Комленок, М. С. [и др.] // Квантовая электроника, 2025.- том 55.- номер 9.- с. 565-571