Publication: Моделирование образования эксиплексов на границе полупроводниковых слоёв α-NPD и BAlq и исследование их структуры и свойств методами квантовой химии
| dc.contributor.advisor | Багатурьянц, А. А. | |
| dc.contributor.author | Ангер, И. А. | |
| dc.date.accessioned | 2025-02-13T10:03:08Z | |
| dc.date.available | 2025-02-13T10:03:08Z | |
| dc.date.issued | 2015 | |
| dc.description | Уровень образования: специалитет; Код направления/специальности: 010501; Группа: Т10-67В | |
| dc.description.abstract | Новой и перспективной ветвью научных изысканий является изучение энергетически эффективных твердотельных осветительных приборов на основе органических функциональных материалов. В частности, крайне интересной и перспективной ветвью исследований является технология OLED (органические светоизлучающие устройства). В дипломной работе приведены результаты исследования процесса формирования полупроводниковых слоев и фотофизических процессов, протекающих на границе двух слоев, используемых в органических светоизлучающих устройствах, с использованием компьютерного моделирования. В ходе работы была разработана методика, позволяющая моделировать образование эксиплексов, делокализованных на двух различных полупроводниковых слоях, состоящих из органических молекул α-NPD и BAlq. Данная методика применима не только к исследованным веществам, но и к другим типам органических полупроводниковых материалов. С помощью методов молекулярной динамики и методов квантовой химии изучались свойства образующихся эксиплексов. Были оценены энергии образования эксиплексов и энергии состояний с переносом заряда, рассчитаны положения полос в спектрах поглощения и люминесценции для четырёх пар молекул α-NPD и BAlq с различной взаимной ориентацией. Рассчитанные параметры были сравнены с экспериментальными данными. Полученные результаты доказывают применимость разработанной методики для теоретического исследования эксиплексов, образующихся на границах слоев в OLED. Отчёт по дипломной работе изложен на 47 страницах, содержит 6 таблиц и 23 рисунка, список использованных источников из 42 наименования. | |
| dc.identifier.citation | Ангер, И. А. Моделирование образования эксиплексов на границе полупроводниковых слоёв α-NPD и BAlq и исследование их структуры и свойств методами квантовой химии : Выпускная квалификационная работа, специалитет, 010501 / И. А. Ангер ; рук. работы Багатурьянц Александр Александрович, 2015 | |
| dc.identifier.uri | https://openrepository.mephi.ru/handle/123456789/36470 | |
| dc.language | ru | ru |
| dc.subject | ВКР | |
| dc.subject | Выпускная квалификационная работа | |
| dc.title | Моделирование образования эксиплексов на границе полупроводниковых слоёв α-NPD и BAlq и исследование их структуры и свойств методами квантовой химии | |
| dc.type | ВКР | |
| dspace.entity.type | Publication |