Publication:
ВЛИЯНИЕ ОБЛУЧЕНИЯ НЕЙТРОНАМИ НА ХАРАКТЕРИСТИКИ ТРАНЗИСТОРОВ НА СИСТЕМЕ AlGaN/GaN

Простая страница элемента
dc.contributor.authorГромов, Д. В.
dc.contributor.authorКузнецов, А. Л.
dc.contributor.authorМатвеев, Ю. А.
dc.contributor.authorПавлов, А. Ю.
dc.date.accessioned2024-03-01T09:47:37Z
dc.date.available2024-03-01T09:47:37Z
dc.date.issued2011
dc.descriptionВ настоящее время активно ведутся исследования по разработке перспективной СВЧ полупроводниковой элементной базы на основе соединений А3В5, в том числе на нитридах галлия. Проведенные теоретические и экспериментальные исследования показали, что вся совокупность радиационных воздействий при нейтронном облучении приводит к образованию в элементах изделий твердотельной СВЧ электроники структурных повреждений.
dc.identifier.urihttps://openrepository.mephi.ru/handle/123456789/10066
dc.publisherНИЯУ МИФИ
dc.titleВЛИЯНИЕ ОБЛУЧЕНИЯ НЕЙТРОНАМИ НА ХАРАКТЕРИСТИКИ ТРАНЗИСТОРОВ НА СИСТЕМЕ AlGaN/GaN
dc.typeтезисы
dspace.entity.typePublication
Файлы
Original bundle
Теперь показываю 1 - 1 из 1
Уменьшенное изображение
Name:
ВЛИЯНИЕ ОБЛУЧЕНИЯ НЕЙТРОНАМИ.pdf
Size:
355.74 KB
Format:
Adobe Portable Document Format
Description:
Download
License bundle
Теперь показываю 1 - 1 из 1
Уменьшенное изображение
Name:
license.txt
Size:
3.45 KB
Format:
Item-specific license agreed to upon submission
Description:
Download
Коллекции
2011 г._1-я Научно-практическая конференция по физике и технологии наногетероструктурной СВЧ электроники «Мокеровские чтения»