Publication: Влияние параметров волноводных слоев на выходную мощность и КПД полупроводниковых лазеров на основе гетероструктур InGaAs/AlGaAs
| dc.contributor.advisor | Мармалюк Александр Анатольевич | |
| dc.contributor.author | Дусалиев, А. Б. | |
| dc.date.accessioned | 2025-02-12T13:48:34Z | |
| dc.date.available | 2025-02-12T13:48:34Z | |
| dc.date.issued | 2023 | |
| dc.description | Уровень образования: магистратура; Код направления/специальности: 03.04.02; Группа: М21-304 | |
| dc.description.abstract | Работа посвящена изучению мощных диодных лазеров, применение их в различных областях и способы повышения их выходной мощности и КПД. В процессе работы рассмотрены параметры, которые влияют на выходную мощность и КПД лазера, такие как последовательное сопротивление, внутренние оптические потери, фактор оптического ограничения, внутренний квантовый выход, ток накачки, пороговый ток, подвижность электронов и дырок для различных материалов, выходная мощность с учетом влияния температуры и т.д.. Наибольший вклад в ограничение выходной мощности дают внутренние оптические потери и последовательное сопротивление. В работе рассматривается метод повышения выходной мощности за счет легирования волноводных слоев, позволяющий добиться наибольшей выходной мощности благодаря низкому последовательному сопротивлению при незначительной росте внутренних оптических потерь. Была составлена расчетная модель полупроводникового лазера на основе гетероструктуры InGaAs/AlGaAs. С помощью модели было выполнено оценки выходной мощности и КПД для гетероструктуры при различном уровне легирования. Для верификации модели проводилось сравнение с экспериментальными данными. | |
| dc.identifier.citation | Дусалиев, А. Б. Влияние параметров волноводных слоев на выходную мощность и КПД полупроводниковых лазеров на основе гетероструктур InGaAs/AlGaAs : Выпускная квалификационная работа, магистратура, 03.04.02 / А. Б. Дусалиев ; рук. работы Мармалюк Александр Анатольевич, 2023 | |
| dc.identifier.uri | https://openrepository.mephi.ru/handle/123456789/30661 | |
| dc.language | ru | ru |
| dc.subject | ВКР | |
| dc.subject | Выпускная квалификационная работа | |
| dc.title | Влияние параметров волноводных слоев на выходную мощность и КПД полупроводниковых лазеров на основе гетероструктур InGaAs/AlGaAs | |
| dc.type | ВКР | |
| dspace.entity.type | Publication |