Publication:
Лабораторный практикум по курсу "Введение в микроэлектронику"

dc.contributor.authorШальнов, А. В.
dc.contributor.authorБалашов А. Г.
dc.contributor.authorСтепанов В. М.
dc.date.accessioned2026-05-22T12:37:29Z
dc.date.available2026-05-22T12:37:29Z
dc.date.issued1987
dc.description.abstractВ практикуме рассмотрены технологические, схемотехнические и физические аспекты работы базовых элементов микроэлектроники: биполярного транзистора, транзистора со структурой металл-оксид-полупроводник (МОП), транзисторного ключа, простейшего усилительного каскада. Анализируются особенности технологических циклов создания монолитных и гибридных ИМС. В каждой работе предусмотрено задание по расчету электрофизических, режимных, либо технологических параметров с применением микро-ЭВМ ДВК-2М. Общему ознакомлению с устройством и порядком работы на микро-ЭВМ посвящена работа 1, остальные предусматривают написание программ на языке ПАСКАЛЬ по расчету характеристик и параметров исследуемых приборов. Отладка и запуск этих программ проводится на заключительном занятии. Практикум предназначен для студентов 3-го курса, специализирующихся в области микроэлектроники.
dc.identifier.citationШальнов, А. В. Лабораторный практикум по курсу "Введение в микроэлектронику" : учеб. пособие / Шальнов А.В., Балашов А.Г., Степанов В.М. - М. : МИФИ, 1987. - 55 с.
dc.identifier.urihttps://openrepository.mephi.ru/handle/123456789/42491
dc.publisherМИФИ
dc.subjectУчебное пособие
dc.titleЛабораторный практикум по курсу "Введение в микроэлектронику"
dspace.entity.typePublication
Файлы
Original bundle
Теперь показываю 1 - 1 из 1
Загружается...
Уменьшенное изображение
Name:
Shalnov_A.V.i_dr.Labopatornyy_praktikum_po_kursu_Vvedenie_v_mikroelektronikudf.pdf
Size:
13.22 MB
Format:
Adobe Portable Document Format
Description:
License bundle
Теперь показываю 1 - 1 из 1
Загружается...
Уменьшенное изображение
Name:
license.txt
Size:
3.45 KB
Format:
Item-specific license agreed to upon submission
Description: