Publication:
ВЛИЯНИЕ МЯГКОГО РЕНТГЕНОВСКОГО ИЗЛУЧЕНИЯ НА СВОЙСТВА ГРАНИЦ РАЗДЕЛА ПОВЕРХНОСТНЫЙ ДИЭЛЕКТРИК – АНТИМОНИД ИНДИЯ

Файлы
ЛАПЛАЗ-2025 «Лазерные, плазменные исследования и технологии – ЛаПлаз-2025»-204.pdf(2.7 MB)
Дата
2025
Авторы
СРЕДИН, В. Г.
ВОЙЦЕХОВСКИЙ, А. В.
МЕЛЕХОВ, А. П.
РАМАКОТИ, Р. Ш.
СТЕПАНЕНКО, А. А.
АНДРЕЙЧИКОВ, К. С.
Journal Title
Journal ISSN
Volume Title
Издатель
НИЯУ МИФИ
Научные группы
Организационные подразделения
OrgUnit Logo
Организационная единица
Институт общей профессиональной подготовки (ИОПП)
Миссией Института является: фундаментальная базовая подготовка студентов, необходимая для получения качественного образования на уровне требований международных стандартов; удовлетворение потребностей обучающихся в интеллектуальном, культурном, нравственном развитии и приобретении ими профессиональных знаний; формирование у студентов мотивации и умения учиться; профессиональная ориентация школьников и студентов в избранной области знаний, формирование способностей и навыков профессионального самоопределения и профессионального саморазвития. Основными целями и задачами Института являются: обеспечение высококачественной (фундаментальной) базовой подготовки студентов бакалавриата и специалитета; поддержка и развитие у студентов стремления к осознанному продолжению обучения в институтах (САЕ и др.) и на факультетах Университета; обеспечение преемственности образовательных программ общего среднего и высшего образования; обеспечение высокого качества довузовской подготовки учащихся Предуниверситария и школ-партнеров НИЯУ МИФИ за счет интеграции основного и дополнительного образования; учебно-методическое руководство общеобразовательными кафедрами Института, осуществляющими подготовку бакалавров и специалистов по социо-гуманитарным, общепрофессиональным и естественнонаучным дисциплинам, обеспечение единства требований к базовой подготовке студентов в рамках крупных научно-образовательных направлений (областей знаний).
OrgUnit Logo
Организационная единица
Институт лазерных и плазменных технологий
Стратегическая цель Института ЛаПлаз – стать ведущей научной школой и ядром развития инноваций по лазерным, плазменным, радиационным и ускорительным технологиям, с уникальными образовательными программами, востребованными на российском и мировом рынке образовательных услуг.
Выпуск журнала
Аннотация
Рассмотрены процессы, протекающие в структурах поверхностный окисел – антимонида индия под действием мягкого рентгеновского излучения. Показано, что облучение приводит к генерации радиационных дефектов на поверхности кристалла.
Описание
Ключевые слова
Цитирование
Влияние мягкого рентгеновского излучения на свойства границ раздела поверхностный диэлектрик - антимонид Индия / Средин В. Г. [и др.] // Лазерные, плазменные исследования и технологии - ЛаПлаз-2025: сборник научных трудов XI Международной конференции. - 2025. - С. 204
URI
https://openrepository.mephi.ru/handle/123456789/39991
Коллекции
2025_ХI Международная конференция "Лазерные, плазменные исследования и технологии" ЛаПлаз-2025