Publication:
Исследование влияния донорного легирования кремнием в дельта-слоях на электронные транспортные свойства PHEMT квантовых ям AlGaAs/InGaAs/GaAs

Простая страница элемента
dc.contributor.advisorВасильевский Иван Сергеевич
dc.contributor.authorСафонов, Д. А.
dc.contributor.authorСафонов, Данил Андреевич
dc.date.accessioned2025-02-13T07:54:39Z
dc.date.available2025-02-13T07:54:39Z
dc.date.issued2016
dc.descriptionУровень образования: магистратура; Код направления/специальности: 14.04.02; Группа: Т04-67МФ
dc.identifier.citationСафонов, Д. А. Исследование влияния донорного легирования кремнием в дельта-слоях на электронные транспортные свойства PHEMT квантовых ям AlGaAs/InGaAs/GaAs : Выпускная квалификационная работа, магистратура, 14.04.02 / Д. А. Сафонов ; рук. работы Васильевский Иван Сергеевич, 2016
dc.identifier.urihttps://openrepository.mephi.ru/handle/123456789/35096
dc.languageruru
dc.subjectВКР
dc.subjectВыпускная квалификационная работа
dc.titleИсследование влияния донорного легирования кремнием в дельта-слоях на электронные транспортные свойства PHEMT квантовых ям AlGaAs/InGaAs/GaAs
dc.typeВКР
dspace.entity.typePublication
relation.isAuthorOfPublication82e59a49-b32c-4996-a1e5-25f94c444179
relation.isAuthorOfPublication.latestForDiscovery82e59a49-b32c-4996-a1e5-25f94c444179
Файлы
Коллекции
Выпускные квалификационные работы