Publication: Микроструктурирование пьезоэлектрических пленок поливинилиденфторида с помощью импульсного лазерного излучения
Дата
2024
Авторы
Деримедведь, Д. К.
Лебедев, Н. Р.
Михалев, П. А.
Юсупов, В. И.
Мареев, Е. И.
Минаев, Н. В.
Journal Title
Journal ISSN
Volume Title
Издатель
Аннотация
Исследованы методы модификации и микроструктурирования пленок поливинилиденфторида (ПВДФ) с использованием наносекундных и фемтосекундных лазерных импульсов для формирования функциональных микроструктур на поверхности и в приповерхностном слое. Показано, что микроструктурирование с использованием фемтосекундных импульсов позволяет достигать высокого разрешения и минимального теплового воздействия на материал. Преимущество использования наносекундного излучения заключается в возможности быстрого микроструктурирования на больших площадях, что делает этот метод привлекательным для применения в промышленных масштабах, хотя при этом разрешение не достигает высоких значений. В ходе исследования найдены режимы, позволяющие формировать структуры в приповерхностном слое без повреждения поверхности пленки, а также создавать структуры с повышенным содержанием атомарного углерода. Результаты спектроскопии комбинационного рассеяния показали, что в областях сильного лазерного воздействия происходит значительное изменение конформационного состава пленок, включая уменьшение сегнетоактивных конформаций и переход в параэлектрическое состояние, что, в свою очередь, влияет на пьезоэлектрические свойства. Предложенные методы лазерной модификации пленки ПВДФ могут быть использованы для разработки новых микродатчиков, что открывает новые горизонты в области применения электроактивных материалов в различных высокотехнологичных отраслях.
Описание
Ключевые слова
Спектроскопия комбинационного рассеяния , Поливинилиденфторид , Сегнетоэлектрические полимерные материалы , Лазерное микроструктурирование
Цитирование
Микроструктурирование пьезоэлектрических пленок поливинилиденфторида с помощью импульсного лазерного излучения / Деримедведь Д. К. [и др.] // Квантовая электроника,- 2024. - 54, 11. - С. 710-716