Publication: Исследование аномальной диффузии алюминия в кремний
| creativeworkseries.issn | 2074-7128 (Print) | |
| dc.contributor.author | Беспалов, А. В. | |
| dc.contributor.author | Афанасьев, М. С. | |
| dc.contributor.author | Голикова, О. Л. | |
| dc.contributor.author | Харитонов, И. А. | |
| dc.contributor.author | Муравьева, А. А. | |
| dc.date.accessioned | 2023-09-28T09:30:32Z | |
| dc.date.available | 2023-09-28T09:30:32Z | |
| dc.date.issued | 2023 | |
| dc.description.abstract | В работе экспериментально и теоретически исследовались процессы диффузии Al в кремний в подложке имитированной интегральной микросхемы, чтобы проанализировать неизменность механизма диффузии по графику в соответствии с уравнением Аррениуса. В процессе практического исследования примеси алюминия с кремнием, наблюдалась аномальная диффузия Al в Si (неконтролируемая и нелинейная). Результаты этого экспериментального исследования были получены с помощью FIB-станции HeliosNanoLab 400 и HeliosNanoLab 450F (ФИП). В экспериментах все пять образцов представляли собой фрагменты монокристаллических кремниевых пластин с электронным n-типом проводимости, легированные фосфором, с выращенным на них способом окисления тонким слоем подзатворного диэлектрика, оксида кремния (SiO2). На установке на всех образцах формировалось шесть круглых отверстий диаметром порядка 5 мкм на всю толщину диэлектрика. Для металлизации электронно-лучевым методом на образцы напылялась пленка алюминия толщиной порядка 200 нм. Отжиг образцов проводился в вакууме при пяти разных температурах в течение интервала времени 40 мин. С помощью ФИП создавались кросс-секции пластины и проводился анализ отжига. Результаты диффузии получались линейными и контролируемыми до отжига при температуре T=600°C. При температуре выше 600°C резко менялся механизм диффузии – диффузия стала ускоренной. При этом диэлектрик SiO2 находится в состоянии сжатия, кремний и алюминий в состоянии растяжения, а в месте контакта SiO2 и кремния проходила ускоренная диффузия (аномальная), связанная с механическими напряжениями в этой точке. Такие напряжения могут оказывать влияние на функционирование и надежность микросхем. Возможным решением данной проблемы является создание дополнительного барьерного слоя между алюминием и монокристаллическим кремнием толщиной ~0,15 мкм. | |
| dc.identifier.citation | БЕСПАЛОВ, Алексей В. et al. ИССЛЕДОВАНИЕ АНОМАЛЬНОЙ ДИФФУЗИИ АЛЮМИНИЯ В КРЕМНИЙ. Безопасность информационных технологий, [S.l.], v. 30, n. 2, p. 151-162, май 2023. ISSN 2074-7136. Доступно на: <https://bit.spels.ru/index.php/bit/article/view/1510>. Дата доступа: 28 сен. 2023. doi:http://dx.doi.org/10.26583/bit.2023.2.11. | |
| dc.identifier.doi | 10.26583/bit.2023.2.11 | |
| dc.identifier.issn | 2074-7136 | |
| dc.identifier.issn | 2074-7128 | |
| dc.identifier.uri | https://openrepository.mephi.ru/handle/123456789/321 | |
| dc.identifier.uri | http://dx.doi.org/10.26583/bit.2023.2.11 | |
| dc.relation.ispartof | Bezopasnost informacionnyh tehnology | |
| dc.subject | диэлектрик | |
| dc.subject | механические напряжения | |
| dc.subject | отжиг | |
| dc.subject | механизм диффузии | |
| dc.subject | аномальная диффузия | |
| dc.subject | диффузия алюминия в кремний | |
| dc.title | Исследование аномальной диффузии алюминия в кремний | |
| dc.type | journal-article | |
| dspace.entity.type | Publication | |
| oaire.citation.issue | 2 | |
| oaire.citation.volume | 30 | |
| relation.isJournalIssueOfPublication | da36e0b4-777d-407c-aefb-a75ffd529536 | |
| relation.isJournalIssueOfPublication.latestForDiscovery | da36e0b4-777d-407c-aefb-a75ffd529536 | |
| relation.isJournalOfPublication | 3b9ae913-eaeb-4d29-a767-7f6ca8a0e066 |