Высокодозная имплантация ионов гелия малой энергией

Шемардов, С. Г.; Беклемишева, А. В.; Александров, П. А.; Васильев, А. Л.; Беклемишев, В. Н.

Publication:
Высокодозная имплантация ионов гелия малой энергией

creativeworkseries.issn	2304-487X (Print)
dc.contributor.author	Шемардов, С. Г.
dc.contributor.author	Беклемишева, А. В.
dc.contributor.author	Александров, П. А.
dc.contributor.author	Васильев, А. Л.
dc.contributor.author	Беклемишев, В. Н.
dc.date.accessioned	2025-12-19T13:01:00Z
dc.date.available	2025-12-19T13:01:00Z
dc.date.issued	2025
dc.description.abstract	Рассматривается вопрос высокодозной имплантации ионов гелия малой энергии (24 кэВ). В этом случае средний проецируемый пробег находится на глубине 20-30 нм от поверхности образца. Имплантация ионов гелия в кремний весьма привлекательна для создания захороненных пористых слоёв в кремнии при последующем высокотемпературном отжиге. Естественным способом увеличение пористости захороненного слоя является увеличение дозы имплантации. Однако этому препятствуют радиационные повреждения поверхностного кремния (блистеринг и флекинг), приводящие к невозможности создания в последнем электронных приборов. Поскольку при уменьшении энергии имплантации имплантационный профиль внедрённых ионов гелия приближается к поверхности подложки, то возрастает доля вакансий и слабосвязанных приповерхностных атомов, влияющих на протекание диффузионных процессов и значительно изменяются прочностные характеристики поверхностного слоя, включающего в себя пористый слой. Появляется возможность имплантировать значительно большие дозы ионов гелия без механических нарушений поверхностного кремния. В работе представлены результаты исследования захороненного пористого слоя после имплантации дозы 1.75∙1017 He+/см2 при энергии 24 кэВ и последующего высокотемпературного отжига при температуре 1150о C в течение 30 минут. Огромные поры диаметром 120-170 нм возникают в области первоначального концентрационного максимума. Пористость этого слоя достигает 50%.
dc.description.uri	https://vestnikmephi.elpub.ru/jour/article/view/463/386
dc.identifier.citation	Шемардов С.Г., Беклемишева А.В., Александров П.А., Васильев А.Л., Беклемишев В.Н. Высокодозная имплантация ионов гелия малой энергией. Вестник НИЯУ МИФИ. 2025;14(6):553-557. https://doi.org/10.26583/vestnik.2025.6.10. EDN: RXPWRH
dc.identifier.doi	10.26583/vestnik.2025.6.10
dc.identifier.uri	https://openrepository.mephi.ru/handle/123456789/40029
dc.publisher	НИЯУ МИФИ
dc.subject	Захороненные слои высокой пористости
dc.subject	КНИ
dc.subject	Докритическая доза имплантации
dc.subject	Монокристаллические пластины кремния
dc.subject	Имплантации ионов гелия
dc.title	Высокодозная имплантация ионов гелия малой энергией
dc.title.alternative	ФИЗИКА КОНДЕНСИРОВАННОГО СОСТОЯНИЯ
dc.type	Article	ru
dspace.entity.type	Publication
relation.isJournalIssueOfPublication	0e53d0b9-bdda-4198-9f1b-18f2017c90ce
relation.isJournalIssueOfPublication.latestForDiscovery	0e53d0b9-bdda-4198-9f1b-18f2017c90ce
relation.isJournalOfPublication	4bb967ac-410d-4311-93e1-8683e2ffecfe