Publication: Диффузионная модель для описания релаксационного процесса в обедненном электронами полупроводниковом слое фотокатода
Дата
2023
Авторы
Владимиров, М. В.
Полозов, С. М.
Ращиков, В. И.
Journal Title
Ядерная физика и инжиниринг
Journal ISSN
Volume Title
Ядерная физика и инжиниринг
Издатель
Аннотация
В рамках построения модели фотоэмиссии пикосекундных электронных сгустков в присутствии сильного электромагнитного поля разработана диффузионная модель, позволяющая описывать заполнение электронами металлической подложки предварительно обедненного полупроводникового слоя фотокатода. С учетом и без учета внешнего электрического поля получены аналитические зависимости распределения концентрации электронов в полупроводниковом слое, а также временные зависимости заряда полупроводникового слоя. Показана принципиальная возможность определения времени релаксации – времени, за которое заряд полупроводникового слоя уменьшится до заданного уровня, – что является очередным шагом развития модели фотоэмиссии.
Описание
Ключевые слова
Задача конвекции–диффузии , Диффузия , Электронные фотоинжекторы , Фотокатод
Цитирование
Владимиров М. В. Диффузионная модель для описания релаксационного процесса в обедненном электронами полупроводниковом слое фотокатода [Text]. / Владимиров М. В., Полозов С. М., Ращиков В. И. // Ядерная физика и инжиниринг. - 2023. - 14, 4. - С. 389-393