Publication:
ТЕОРИЯ НЕСТАЦИОНАРНЫХ ПРОЦЕССОВ В РЕЗОНАНСНО-ТУННЕЛЬНОМ ДИОДЕ

Простая страница элемента
dc.contributor.authorЕлесин, В. Ф.
dc.contributor.authorСукочев, А. Ю.
dc.contributor.authorКатеев, И. Ю.
dc.contributor.authorРемнев, М. А.
dc.date.accessioned2024-03-01T09:24:37Z
dc.date.available2024-03-01T09:24:37Z
dc.date.issued2011
dc.descriptionПроведено компьютерное моделирование переходных процессов в резонансно-туннельном диоде, происходящих при переключении напряжения смещения. Использована модель когерентного туннелирования с точными открытыми граничными условиями. Рассчитаны зависимости тока от времени и координаты для моноэнергетического распределения электронов и распределения Ферми.
dc.identifier.urihttps://openrepository.mephi.ru/handle/123456789/10064
dc.publisherНИЯУ МИФИ
dc.titleТЕОРИЯ НЕСТАЦИОНАРНЫХ ПРОЦЕССОВ В РЕЗОНАНСНО-ТУННЕЛЬНОМ ДИОДЕ
dc.typeтезисы
dspace.entity.typePublication
Файлы
Original bundle
Теперь показываю 1 - 1 из 1
Уменьшенное изображение
Name:
ТЕОРИЯ НЕСТАЦИОНАРНЫХ ПРОЦЕССОВ.pdf
Size:
343.38 KB
Format:
Adobe Portable Document Format
Description:
Download
License bundle
Теперь показываю 1 - 1 из 1
Уменьшенное изображение
Name:
license.txt
Size:
3.45 KB
Format:
Item-specific license agreed to upon submission
Description:
Download
Коллекции
2011 г._1-я Научно-практическая конференция по физике и технологии наногетероструктурной СВЧ электроники «Мокеровские чтения»