Publication: Создание антиотражающих микроструктур на поверхности нелинейных кристаллов BaGa2Se7 фемтосекундным лазерным излучением
Файлы
Дата
2024
Авторы
Федяй, В. Е.
Тарасова, А.
Елисеев, А.
Исаенко, Л.
Криницын, П.
Бабин, С. А.
Кучмижак, А.
Достовалов, А. В.
Journal Title
Квантовая электроника
Journal ISSN
Volume Title
Квантовая электроника
Издатель
НИЯУ МИФИ
Аннотация
Рассмотрена возможность создания антиотражающих микроструктур (АОМ) на поверхности полупроводниковых нелинейных кристаллов BaGa2Se7 с помощью ИК лазерных импульсов. Исследовано формирование АОМ методом поточечной записи фемтосекундным лазерным излучением, а также методом, основанным на эффекте формирования лазерно-индуцированных периодических поверхностных структур (ЛИППС) фемтосекундным/пикосекундным лазерным излучением. Максимальное увеличение пропускания нелинейного кристалла BaGa2Se7 (при обработке с одной стороны по сравнению с исходной необработанной поверхностью) составило 17 % и более 9% для метода поточечной записи и метода на основе ЛИППС соответственно.
Описание
Ключевые слова
Лазерно-индуцированные периодические поверхностные структуры , ИК диапазон , Фемтосекундная лазерная абляция , Антиотражающие микроструктуры , Кристалл BaGa2Se7