Publication:
Micro-transformer-based integrated digital isolator in 180/90 nm CMOS

Дата
2019
Авторы
Kus, O.
Prokopyev, V.
Dmitriev, N.
Smirnov, E.
Butuzov, V.
Nazarenko, A.
Bocharov, Y.
Journal Title
Journal ISSN
Volume Title
Издатель
Научные группы
Организационные подразделения
OrgUnit Logo
Организационная единица
Институт нанотехнологий в электронике, спинтронике и фотонике
Институт ИНТЭЛ занимается научной деятельностью и подготовкой специалистов в области исследования физических принципов, проектирования и разработки технологий создания компонентной базы электроники гражданского и специального назначения, а также построения современных приборов на её основе. ​Наша основная цель – это создание и развитие научно-образовательного центра мирового уровня в области наноструктурных материалов и устройств электроники, спинтроники, фотоники, а также создание эффективной инновационной среды в области СВЧ-электронной и радиационно-стойкой компонентной базы, источников ТГц излучения, ионно-кластерных технологий материалов.​
Выпуск журнала
Аннотация
© 2019 IEEE.An integrated circuit of a digital isolator comprising a transceiver chip implemented in standard 180 nm CMOS process as well as micro-transformers implemented in a special 90 nm technology is presented. The coreless transformer placed on a separate chip has a stacked structure with two adjacent planar copper windings in two layers separated by a silicon dioxide insulator. The transceiver utilizes a pulse edges encoding technique for transmitting signals through the insulation barrier. The proposed digital isolator has a feature in the topology of the elements, which ensures tolerance to the effects of ionizing radiation, as well as the small size of transformers, which makes it possible to create multichannel integrated circuits in small-sized packages. The tested prototype of the digital isolator provided a data transfer rate of more than 30 Mbps. As much as 2.5 kV isolation voltage is achieved between the coils of transformer.
Описание
Ключевые слова
Цитирование
Micro-transformer-based integrated digital isolator in 180/90 nm CMOS / Kus, O. [et al.] // 2019 International Siberian Conference on Control and Communications, SIBCON 2019 - Proceedings. - 2019. - 10.1109/SIBCON.2019.8729578
URI
https://www.doi.org/10.1109/SIBCON.2019.8729578
 https://www.scopus.com/record/display.uri?eid=2-s2.0-85068315438&origin=resultslist
 http://gateway.webofknowledge.com/gateway/Gateway.cgi?GWVersion=2&SrcAuth=Alerting&SrcApp=Alerting&DestApp=WOS_CPL&DestLinkType=FullRecord&UT=WOS:000477706200017
 https://openrepository.mephi.ru/handle/123456789/18341
Коллекции
Публикации