Publication:
Квазинепрерывные микролинейки мощных полупроводниковых лазеров (l = 976 нм) с увеличенной длиной резонатора на основе асимметричных гетероструктур с широким волноводом

Дата
2023
Авторы
Слипченко, С. О.
Подоскин, А. А.
Крючков, В. А.
Стрелец, В. А.
Шашкин, И. С.
Пихтин, Н. А.
Journal Title
Journal ISSN
Volume Title
Издатель
Научные группы
Организационные подразделения
Выпуск журнала
Выпуск журнала
Квантовая электроника
2023 - 53 - 1
Аннотация
Разработаны микролинейки полупроводниковых лазеров с длиной резонатора 6 мм, включающие в себя излучающие области размером 5×100 мкм с фактором заполнения 25 %. Установлено, что в диапазоне длительностей импульсов тока накачки 1.0 – 9.5 мс (частота следования 10 Гц) и его амплитуде до 50 А сохраняется высокая излучательная эффективность, соответствующая наклону ватт-амперной характеристики (ВтАХ) 1.03 Вт/А, при этом максимальная пиковая мощность достигает 48.4 Вт. Продемонстрирована возможность работы микролинейки в квазинепрерывном режиме при повышении температуры теплоотвода до 100 °С и с сохранением линейности ВтАХ при мощности 25.7 Вт и токе накачки 42 А. Показана высокая однородность распределения интенсивности излучения в дальней зоне с углом расходимости (на уровне половины от максимума интенсивности) около 13° в плоскости, перпендикулярной слоям гетероструктуры, и около 8° в плоскости им параллельной.
Описание
Ключевые слова
квазинепрерывный режим генерации , расходимость в перпендикулярной плоскости , мощные полупроводниковые лазеры , линейки лазерных диодов
Цитирование
С. О. Слипченко, А. А. Подоскин, В. А. Крючков, В. А. Стрелец, И. С. Шашкин, Н. А. Пихтин, “Квазинепрерывные микролинейки мощных полупроводниковых лазеров (λ = 976 нм) с увеличенной длиной резонатора на основе асимметричных гетероструктур с широким волноводом”,, Квантовая электроника, 53:1 (2023), 6–10
Коллекции