Publication:
Development of Data Concentration Method and Its Implementation in a Radiation-Tolerant CMOS Application Specific Integrated Circuit

Дата
2021
Авторы
Atkin, E.
Azarov, D.
Normanov, D.
Ivanov, P.
Samsonov, V.
Serazetdinov, A.
Shumikhin, V.
Серазетдинов, Артур Рафикович
Journal Title
Journal ISSN
Volume Title
Издатель
Научные группы
Организационные подразделения
OrgUnit Logo
Организационная единица
Институт нанотехнологий в электронике, спинтронике и фотонике
Институт ИНТЭЛ занимается научной деятельностью и подготовкой специалистов в области исследования физических принципов, проектирования и разработки технологий создания компонентной базы электроники гражданского и специального назначения, а также построения современных приборов на её основе. ​Наша основная цель – это создание и развитие научно-образовательного центра мирового уровня в области наноструктурных материалов и устройств электроники, спинтроники, фотоники, а также создание эффективной инновационной среды в области СВЧ-электронной и радиационно-стойкой компонентной базы, источников ТГц излучения, ионно-кластерных технологий материалов.​
Выпуск журнала
Аннотация
© 2021, Pleiades Publishing, Ltd.Abstract: The results of the concentration method development for the data coming from the detector integrated circuits, intended for the experimental facilities MPD and BM@N, are presented. Charged particle detectors at these installations are characterized by a high granularity and accuracy of the detecting equipment. That results in a large data volume and the need to transfer processed data at a gigabit rate. Therefore, ASIC of the data concentrator requires both a high integration and use of specific structure as well as circuit and layout to provide an increased radiation tolerance. A specific feature of the ASIC is its ability to operate in the actual radiation background of the experiments estimated by up to 100 kRad in terms of immunity to heavy charged particles. In order to approbate the method and solutions on improvement of the radiation tolerance, the design results of a prototype 65 nm CMOS ASIC for read-out the signals from two SAMPA front-end chips cards are described. ASIC is intended for data receipt, concentration and subsequent transmission at a rate of 2.56 Gbit/s over micro-coaxial cables of 1 m length.
Описание
Ключевые слова
Цитирование
Development of Data Concentration Method and Its Implementation in a Radiation-Tolerant CMOS Application Specific Integrated Circuit / Atkin, E. [et al.] // Physics of Particles and Nuclei. - 2021. - 52. - № 4. - P. 752-756. - 10.1134/S1063779621040080
URI
https://www.doi.org/10.1134/S1063779621040080
 https://www.scopus.com/record/display.uri?eid=2-s2.0-85114372816&origin=resultslist
 http://gateway.webofknowledge.com/gateway/Gateway.cgi?GWVersion=2&SrcAuth=Alerting&SrcApp=Alerting&DestApp=WOS_CPL&DestLinkType=FullRecord&UT=WOS:000698391900045
 https://openrepository.mephi.ru/handle/123456789/24664
Коллекции
Публикации