Publication: Мощный импульсный полупроводниковый дисковый лазер на основе гетероструктуры InGaP/AlGaInP с накачкой в квантовые ямы
Файлы
Дата
2023
Авторы
Козловский, В. И.
Женишбеков, С. М.
Скасырский, Я. К.
Фролов, М. П.
Journal Title
Journal ISSN
Volume Title
Издатель
Аннотация
Исследован полупроводниковый дисковый лазер (ПДЛ) на основе гетероструктуры InGaP/AlGaInP, излучающей на длине волны вблизи 640 нм, при внутриямной накачке импульсным лазером на красителе родамин 6G с длиной волны излучения 601 нм. Использовались структуры с 25 квантовыми ямами, расставленными по глубине с периодом 193 нм. На
структуре с встроенным брэгговским зеркалом достигнута мощность 3.5 Вт на длине волны 642 нм при дифференциальном КПД 7% по вложенной мощности накачки. Достигнутая мощность второй гармоники на длине волны 321 нм составила примерно 30% от максимальной мощности ПДЛ на основной частоте. При накачке выше 250 Вт структура разрушалась из-за сильного адиабатического нагрева ростовой подложки GaAs. На структуре с нанесенным широкополосным диэлектрическим зеркалом удалось уменьшить фактор диабатического нагрева, организовать двухпроходную накачку и, соответственно, повысить вложенную мощность накачки. Это позволило достигнуть импульсной мощности более 70 Вт на длине волны 645.5 нм с дифференциальным КПД свыше 17 %
Описание
Ключевые слова
лазер на красителе , квантовые ямы , оптическая накачка , гетероструктура GaInP/AlGaInP , полупроводниковый дисковый лазер