Publication: МОДЕЛИРОВАНИЕ МНОГОЧАСТИЧНЫХ ВЗАИМОДЕЙСТВИЙ В ПОЛУПРОВОДНИКОВЫХ ГЕТЕРОПЕРЕХОДАХ
| dc.contributor.author | Артемьев, Д. Д. | |
| dc.contributor.author | Бухенский, К. В. | |
| dc.contributor.author | Дюбуа, А. Б. | |
| dc.contributor.author | Конюхов, А. Н. | |
| dc.contributor.author | Кучерявый, С. И. | |
| dc.contributor.author | Сафошкин, А. С. | |
| dc.date.accessioned | 2026-10-27T19:32:25Z | |
| dc.date.available | 2026-10-27T19:32:25Z | |
| dc.date.issued | 2025 | |
| dc.description.abstract | The paper considers the mechanisms of many-particle interactions in a heavily doped semiconductor heterojunction approximated by a triangular potential profile when the ground and excited subbands of size quantization are filled. The decisive role is played by electron-electron interactions, for the analysis of which it is necessary to take into account various channels of transmission of disturbances from sources. | |
| dc.identifier.citation | МОДЕЛИРОВАНИЕ МНОГОЧАСТИЧНЫХ ВЗАИМОДЕЙСТВИЙ В ПОЛУПРОВОДНИКОВЫХ ГЕТЕРОПЕРЕХОДАХ / Артемьев Д. Д. [и др.] // Взаимодействие ионов с поверхностью ВИП - 2025: труды XXVII Международной конференции Том 2. - 2025 - С.49-52 | |
| dc.identifier.uri | https://openrepository.mephi.ru/handle/123456789/44285 | |
| dc.publisher | НИЯУ МИФИ | |
| dc.title | МОДЕЛИРОВАНИЕ МНОГОЧАСТИЧНЫХ ВЗАИМОДЕЙСТВИЙ В ПОЛУПРОВОДНИКОВЫХ ГЕТЕРОПЕРЕХОДАХ | |
| dc.type | Article | |
| dspace.entity.type | Publication |