Publication: Температурная зависимость выходной оптической мощности полупроводниковых лазеров-тиристоров на основе гетероструктур AlGaAs/GaAs/InGaAs
Файлы
Дата
2024
Авторы
Гаврина, П. С.
Подоскин, А. А.
Шушканов, И. В.
Слипченко, С. О.
Пихтин, Н. А.
Багаев, Т. А.
Ладугин, М. А.
Мармалюк, А. А.
Симаков, В. А.
Journal Title
Journal ISSN
Volume Title
Издатель
НИЯУ МИФИ
Аннотация
Проведены измерения выходной оптической мощности, спектров лазерной генерации, длительности оптического импульса и задержек включения полупроводниковых лазеров-тиристоров с шириной полоска 200 мкм и длиной 980 мкм в диапазоне рабочих температур от 20 до 70 °С при номинале разрядного конденсатора 22 нФ и амплитуде тока управления 10.4 мА. Показано, что лазеры-тиристоры обладают высокой температурной стабильностью. При нагреве приборов с 20 до 70 °С уровень снижения выходной пиковой мощности не превысил 15 % для напряжений питания 4 – 20 В и 25% для напряжения 3 В, сдвиг центральной длины волны спектра генерации в среднем составил 0.21 нм/ °С.
Описание
Ключевые слова
токовые ключи , температурные измерения , импульсные лазеры , лазеры-тиристоры