Publication:
Dual S-scheme Bi2MoO6/g-C3N4/Ag2MoO4 ternary heterojunction: Interfacial charge transfer, broadband spectrum, enhanced redox ability

Дата
2024
Авторы
Hasija, V.
Khan, A. A. P.
Sonu.
Katin, K. P.
Savaş, K.
Journal Title
Journal ISSN
Volume Title
Издатель
Научные группы
Организационные подразделения
OrgUnit Logo
Организационная единица
Институт нанотехнологий в электронике, спинтронике и фотонике
Институт ИНТЭЛ занимается научной деятельностью и подготовкой специалистов в области исследования физических принципов, проектирования и разработки технологий создания компонентной базы электроники гражданского и специального назначения, а также построения современных приборов на её основе. ​Наша основная цель – это создание и развитие научно-образовательного центра мирового уровня в области наноструктурных материалов и устройств электроники, спинтроники, фотоники, а также создание эффективной инновационной среды в области СВЧ-электронной и радиационно-стойкой компонентной базы, источников ТГц излучения, ионно-кластерных технологий материалов.​
Выпуск журнала
Аннотация
Описание
Ключевые слова
Цитирование
Dual S-scheme Bi2MoO6/g-C3N4/Ag2MoO4 ternary heterojunction: Interfacial charge transfer, broadband spectrum, enhanced redox ability / Hasija, V. [et al.] // Solid State Sciences. - 2024. - 157. - 10.1016/j.solidstatesciences.2024.107693
URI
https://www.doi.org/10.1016/j.solidstatesciences.2024.107693
 https://www.scopus.com/record/display.uri?eid=2-s2.0-85204513966&origin=resultslist
 https://openrepository.mephi.ru/handle/123456789/26314
Коллекции
Публикации