Publication:
Щелевые лазеры на основных и обертонных переходах молекулы окиси углерода с накачкой емкостным высоко- частотным разрядом и криогенным охлаждением электродов

Простая страница элемента
creativeworkseries.issn0368-7147
dc.contributor.authorИонин, А. А.
dc.contributor.authorИонин, М. В.
dc.contributor.authorКиняевский, И. О.
dc.contributor.authorКлимачев, Ю. М.
dc.contributor.authorКозлов, А. Ю.
dc.contributor.authorКотков, А. А.
dc.contributor.authorРулев, О. А.
dc.contributor.authorСиницын, Д. В.
dc.date.accessioned2024-06-03T10:47:02Z
dc.date.available2024-06-03T10:47:02Z
dc.date.issued2023
dc.description.abstractИнициированные Н.Г.Басовым в первой половине 1970-х гг. работы по созданию электроионизационных лазеров на окиси углерода позволили создать лазеры на основных переходах молекулы СО с высокой мощностью и эффективностью генерации излучения. Вскоре под его научным руководством была получена генерация излучения на обертонных переходах молекулы СО. В продолжение этих работ десять с небольшим лет назад в Отделении квантовой радиофизики им. Н.Г.Басова в ФИАНе впервые был создан компактный щелевой СО-лазер с накачкой импульсно-периодическим емкостным высокочастотным разрядом и криогенным охлаждением электродов, действующий без принудительной прокачки активной среды. В настоящее время средняя мощность генерации таких лазеров достигает 40 Вт на основных переходах молекулы СО (в диапазоне длин волн 5.06 – 5.92 мкм) и 6 Вт на обертонных переходах (2.60 – 3.05 мкм) при объеме активной среды ~35 см3. В режиме модуляции добротности резонатора эти лазеры позволяют получать излучение с пиковой мощностью до 5 кВт, что дает возможность использовать их в экспериментах по нелинейно-оптическому преобразованию частоты их излучения в нелинейных кристаллах в спектральный диапазон примерно 2 – 20 мкм.
dc.identifier.citationИонин А.А., Ионин М.В., Киняевский И.О., Климачев Ю.М., Козлов А.Ю., Котков А.А. , Рулев О.А., Синицын Д.В. “Щелевые лазеры на основных и обертонных переходах молекулы окиси углерода с накачкой емкостным высокочастотным разрядом и криогенным охлаждением электродов”, Квантовая электроника, 53 (6), 444–451 (2023).
dc.identifier.urihttps://openrepository.mephi.ru/handle/123456789/10400
dc.identifier.urihttps://quantum-electronics.ru/shchelevye-lazery-na-osnovnyh-i-obertonn/
dc.subjectнелинейные кристаллы
dc.subjectпреобразование частоты
dc.subjectкриогенное охлаждение
dc.subjectемкостной ВЧ разряд
dc.subjectосновные и обертонные переходы
dc.subjectСО-лазер
dc.titleЩелевые лазеры на основных и обертонных переходах молекулы окиси углерода с накачкой емкостным высоко- частотным разрядом и криогенным охлаждением электродов
dc.title.alternativeОбзор
dc.typeArticle
dspace.entity.typePublication
relation.isJournalIssueOfPublication4de27e19-4dfe-42d2-a4d9-89116222b0d5
relation.isJournalIssueOfPublication.latestForDiscovery4de27e19-4dfe-42d2-a4d9-89116222b0d5
relation.isJournalOfPublication912baea6-a69f-48e5-a2df-af616dd3d576
Файлы
Original bundle
Теперь показываю 1 - 1 из 1
Уменьшенное изображение
Name:
0444.pdf
Size:
4.89 MB
Format:
Adobe Portable Document Format
Description:
Download
License bundle
Теперь показываю 1 - 1 из 1
Уменьшенное изображение
Name:
license.txt
Size:
3.45 KB
Format:
Item-specific license agreed to upon submission
Description:
Download
Коллекции