Publication:
Peculiarities of the external photoelectric effect in narrow-band semiconductors caused by soft x-ray radiation

Дата
2020
Авторы
Sredin, V.
Voitsekhovskii, A.
Ramakoti, R.
Ananin, O.
Melekhov, A.
Journal Title
Journal ISSN
Volume Title
Издатель
Научные группы
Организационные подразделения
Организационная единица
Институт общей профессиональной подготовки (ИОПП)
Миссией Института является: фундаментальная базовая подготовка студентов, необходимая для получения качественного образования на уровне требований международных стандартов; удовлетворение потребностей обучающихся в интеллектуальном, культурном, нравственном развитии и приобретении ими профессиональных знаний; формирование у студентов мотивации и умения учиться; профессиональная ориентация школьников и студентов в избранной области знаний, формирование способностей и навыков профессионального самоопределения и профессионального саморазвития. Основными целями и задачами Института являются: обеспечение высококачественной (фундаментальной) базовой подготовки студентов бакалавриата и специалитета; поддержка и развитие у студентов стремления к осознанному продолжению обучения в институтах (САЕ и др.) и на факультетах Университета; обеспечение преемственности образовательных программ общего среднего и высшего образования; обеспечение высокого качества довузовской подготовки учащихся Предуниверситария и школ-партнеров НИЯУ МИФИ за счет интеграции основного и дополнительного образования; учебно-методическое руководство общеобразовательными кафедрами Института, осуществляющими подготовку бакалавров и специалистов по социо-гуманитарным, общепрофессиональным и естественнонаучным дисциплинам, обеспечение единства требований к базовой подготовке студентов в рамках крупных научно-образовательных направлений (областей знаний).
Организационная единица
Институт лазерных и плазменных технологий
Стратегическая цель Института ЛаПлаз – стать ведущей научной школой и ядром развития инноваций по лазерным, плазменным, радиационным и ускорительным технологиям, с уникальными образовательными программами, востребованными на российском и мировом рынке образовательных услуг.
Выпуск журнала
Аннотация
© 2020 IEEE.The features of the external photoelectric effect caused by soft x-ray radiation of a laser plasma source in CdxHg1-x Te solid solutions are considered. The possibility of a contribution from the ionization of internal electron shells to the photocurrent and the generation of a pulsed electric field in the near-surface region due to the output of photoelectrons are discussed.
Описание
Ключевые слова
Цитирование
Peculiarities of the external photoelectric effect in narrow-band semiconductors caused by soft x-ray radiation / Sredin, V. [et al.] // Proceedings - 2020 7th International Congress on Energy Fluxes and Radiation Effects, EFRE 2020. - 2020. - P. 1009-1011. - 10.1109/EFRE47760.2020.9242145
Коллекции