Publication:
Shubnikov–de Haas Effect and Electrophysical Properties of the Topological Insulator Sb2 – xCuxTe3

Дата
2019
Авторы
Zinov'ev, D. A.
Maslov, N. V.
Kytin, V. G.
Kulbachinskii, V. A.
Journal Title
Journal ISSN
Volume Title
Издатель
Научные группы
Организационные подразделения
OrgUnit Logo
Организационная единица
Институт нанотехнологий в электронике, спинтронике и фотонике
Институт ИНТЭЛ занимается научной деятельностью и подготовкой специалистов в области исследования физических принципов, проектирования и разработки технологий создания компонентной базы электроники гражданского и специального назначения, а также построения современных приборов на её основе. ​Наша основная цель – это создание и развитие научно-образовательного центра мирового уровня в области наноструктурных материалов и устройств электроники, спинтроники, фотоники, а также создание эффективной инновационной среды в области СВЧ-электронной и радиационно-стойкой компонентной базы, источников ТГц излучения, ионно-кластерных технологий материалов.​
Выпуск журнала
Аннотация
© 2019, Pleiades Publishing, Inc.Abstract: The results of the study of the influence of Cu on the Shubnikov–de Haas effect and the electrical properties of p-Sb2 – xCuxTe3 single crystals (0 ≤ x ≤ 0.1) are presented. In the framework of the parabolic model of the energy spectrum, the hole concentrations and the Fermi energy in Sb2 – xCuxTe3 are calculated based on the oscillation frequencies of the magnetoresistance. It is shown that doping by Cu has an acceptor effect and significantly increases the frequencies of Shubnikov–de Haas oscillations. A plateau is observed in the dependences of the Hall resistance on magnetic field. The dependences of the resistance on temperature obey the power law with the exponent m = 1.2, which is characteristic of scattering on phonons with the contribution of scattering on ionized impurities. Unlike other impurities, the exponent remains almost unchanged when doped by Cu to the maximum concentrations studied.
Описание
Ключевые слова
Цитирование
Shubnikov–de Haas Effect and Electrophysical Properties of the Topological Insulator Sb2 – xCuxTe3 / Zinov'ev, D.A. [et al.] // Journal of Experimental and Theoretical Physics. - 2019. - 128. - № 6. - P. 926-931. - 10.1134/S1063776119050121
URI
https://www.doi.org/10.1134/S1063776119050121
 https://www.scopus.com/record/display.uri?eid=2-s2.0-85070191248&origin=resultslist
 http://gateway.webofknowledge.com/gateway/Gateway.cgi?GWVersion=2&SrcAuth=Alerting&SrcApp=Alerting&DestApp=WOS_CPL&DestLinkType=FullRecord&UT=WOS:000478890400013
 https://openrepository.mephi.ru/handle/123456789/18535
Коллекции
Публикации