Publication:
Как определить фактор фано в полупроводниковом материале из экспериментальных данных?

Файлы
elibrary_57139906_10239999.pdf(370.49 KB)
Дата
2023
Авторы
Самедов, В. В.
Journal Title
Ядерная физика и инжиниринг
Journal ISSN
Volume Title
Ядерная физика и инжиниринг
Издатель
Научные группы
Организационные подразделения
OrgUnit Logo
Организационная единица
Институт общей профессиональной подготовки (ИОПП)
Миссией Института является: фундаментальная базовая подготовка студентов, необходимая для получения качественного образования на уровне требований международных стандартов; удовлетворение потребностей обучающихся в интеллектуальном, культурном, нравственном развитии и приобретении ими профессиональных знаний; формирование у студентов мотивации и умения учиться; профессиональная ориентация школьников и студентов в избранной области знаний, формирование способностей и навыков профессионального самоопределения и профессионального саморазвития. Основными целями и задачами Института являются: обеспечение высококачественной (фундаментальной) базовой подготовки студентов бакалавриата и специалитета; поддержка и развитие у студентов стремления к осознанному продолжению обучения в институтах (САЕ и др.) и на факультетах Университета; обеспечение преемственности образовательных программ общего среднего и высшего образования; обеспечение высокого качества довузовской подготовки учащихся Предуниверситария и школ-партнеров НИЯУ МИФИ за счет интеграции основного и дополнительного образования; учебно-методическое руководство общеобразовательными кафедрами Института, осуществляющими подготовку бакалавров и специалистов по социо-гуманитарным, общепрофессиональным и естественнонаучным дисциплинам, обеспечение единства требований к базовой подготовке студентов в рамках крупных научно-образовательных направлений (областей знаний).
Выпуск журнала
Уменьшенное изображение
Выпуск журнала
Ядерная физика и инжиниринг
2023-14 - 4
Аннотация
В настоящее время в литературе существуют формулы для определения фактора Фано в полупроводниковом материале из экспериментальных данных. Однако существующие формулы не учитывают вклад флуктуаций индуцированного заряда на электродах детектора, обусловленных захватом ловушками электронов и дырок, и вклад флуктуаций индуцированного заряда, обусловленных функцией распределения генерации электронно-дырочных пар в объеме полупроводникового детектора. В данной работе получена формула для энергетического разрешения полупроводникового детектора, которая позволяет определить вклады в энергетическое разрешение различных процессов и их зависимость от свойств полупроводникового материала детектора и характеристик регистрируемой частицы. Полученная формула для энергетического разрешения полупроводникового детектора позволяет сформулировать условия, при соблюдении которых из характеристик выходного сигнала можно извлечь информацию о факторе Фано и флуктуациях индуцированного заряда на электродах детектора, обусловленных захватом ловушками электронов и дырок, и функцией распределения генерации электронно-дырочных пар в объеме полупроводникового детектора. В качестве примера, в работе из экспериментальных данных определен фактор Фано в полупроводниковом материале CdTe.
Описание
Ключевые слова
Захват электронов и дырок ловушками, , Индукция заряда , Фактор Фано , Энергетическое разрешение , Полупроводниковый детектор , CdTe
Цитирование
Самедов В.В. Как определить фактор фано в полупроводниковом материале из экспериментальных данных? [Текст] // Ядерная физика и инжиниринг. - 2023. - Т. 14: Nuclear Physics and Engineering, N 4. - С. 363–372
URI
https://www.elibrary.ru/item.asp?id=57139906
 https://openrepository.mephi.ru/handle/123456789/16004
Коллекции