Publication: Исследование морфологических и оптических свойств квантовых колец GaAs
Дата
2016
Авторы
Леоненков, Е. И.
Journal Title
Journal ISSN
Volume Title
Издатель
Аннотация
В данной работе был изучен процесс капельной эпитаксии, а также влияние условий роста на морфологию ансамбля квантовых колец. Методами атомно-силовой и растровой электронной микроскопии были получены сканы, с помощью которых измерялись средние размеры колец в трех образцах. Используя полученные значения диаметров и высот квантовых колец, были рассчитаны уровни энергии для носителей заряда и затем положения пиков фотолюминесценции. Кроме того, были исследованы экспериментальные спектры люминесценции при низких температурах и в интервале температур. Установлено, что в области спектра 600-750 нм пики принадлежит барьерному слою AlGaAs, а в области 700-950 нм главный пик вызван излучением подложки GaAs. Положения пиков с ростом температуры смещаются в красную область, что качественно соответствует температурной зависимости ширины запрещенной зоны в полупроводниках. Так же показано, что с ростом температуры интенсивность пиков падает экспоненциально. В одном из образцов была оценена толщина поверхностного слоя GaAs с использованием как измеренных размеров колец, так и технологических параметров роста. Хорошее соответствие полученных значений косвенно подтверждает отклонение реальных размеров квантовых колец от измеренных не более чем на 10-15 %.
Описание
Уровень образования: магистратура; Код направления/специальности: 14.04.02; Группа: Т04-67МФ
Ключевые слова
ВКР , Выпускная квалификационная работа
Цитирование
Леоненков, Е. И. Исследование морфологических и оптических свойств квантовых колец GaAs : Выпускная квалификационная работа, магистратура, 14.04.02 / Е. И. Леоненков ; рук. работы Каргин Николай Иванович, 2016