Publication:
Hydrogen Desorption from Pentagraphane

Дата
2019
Авторы
Journal Title
Journal ISSN
Volume Title
Издатель
Научные группы
Организационные подразделения
Организационная единица
Институт нанотехнологий в электронике, спинтронике и фотонике
Институт ИНТЭЛ занимается научной деятельностью и подготовкой специалистов в области исследования физических принципов, проектирования и разработки технологий создания компонентной базы электроники гражданского и специального назначения, а также построения современных приборов на её основе. ​Наша основная цель – это создание и развитие научно-образовательного центра мирового уровня в области наноструктурных материалов и устройств электроники, спинтроники, фотоники, а также создание эффективной инновационной среды в области СВЧ-электронной и радиационно-стойкой компонентной базы, источников ТГц излучения, ионно-кластерных технологий материалов.​
Организационная единица
Институт лазерных и плазменных технологий
Стратегическая цель Института ЛаПлаз – стать ведущей научной школой и ядром развития инноваций по лазерным, плазменным, радиационным и ускорительным технологиям, с уникальными образовательными программами, востребованными на российском и мировом рынке образовательных услуг.
Выпуск журнала
Аннотация
© 2019, Pleiades Publishing, Ltd.Abstract: Thermally activated hydrogen desorption from pentagraphane is studied by atomistic computer simulation. Pentagraphane is a recently predicted quasi-two-dimensional hydrocarbon compound that represents a pentagraphene single layer, in which both sides are covered with hydrogen and the C–C bonds form a network of adjacent pentagons, whereas the hexagons characteristic of carbon nanostructures are lacking. The effect of hydrogen desorption on the electronic structure, phonon density of states, and Young’s modulus are studied. The temperature dependence of the characteristic desorption time is determined by the molecular-dynamics method.
Описание
Ключевые слова
Цитирование
Openov, L. A. Hydrogen Desorption from Pentagraphane / Openov, L.A., Podlivaev, A.I. // Semiconductors. - 2019. - 53. - № 5. - P. 717-721. - 10.1134/S106378261905021X
Коллекции