Publication: Генерация терагерцевого излучения в легированном бором алмазе
Файлы
Дата
2023
Авторы
Кононенко, В. В.
Заведеев, Е. В.
Дежкина, М. А.
Булгакова, В. В.
Комленок, М. С.
Кононенко, Т. В.
Букин, В. В.
Конов, В. И.
Гарнов, С. В.
Хомич, А. А.
Journal Title
Journal ISSN
Volume Title
Издатель
НИЯУ МИФИ
Аннотация
Впервые продемонстрирована способность полупроводникового алмаза преобразовывать лазерное излучение ближнего ИК диапазона в терагерцевое излучение. Набор фотопроводящих антенн на основе легированных бором (~1 ppm) монокристаллических алмазов был собран и протестирован в условиях накачки ультракороткими (τopt ≈ 150 фс) импульсами излучения с длиной волны 800 нм и импульсного напряжения (τE ≈ 10 нс, Ebias ≈ 10 кВ/см). Характеристики эмиттеров, легированных бором, сравнивались с недавно реализованными алмазными антеннами, легированными азотом, которые накачивались импульсами излучения с длиной волны 400 нм, поскольку замещающий азот требует гораздо более высокой энергии кванта для однофотонного возбуждения носителей. Полученные результаты являются еще одним шагом на пути к использованию алмаза в качестве материала для высокоэффективных фотопроводящих антенн.
Описание
Ключевые слова
Терагерцевые источники , Легирование , Алмаз , Фотопроводящая антенна
Цитирование
Кононенко В.В., Заведеев Е.В., Дежкина М.A., Булгакова В.В., Комленок М.С., Кононенко Т.В., Букин В.В., Конов В.И., Гарнов С.В., Хомич А.A. “Генерация терагерцевого излучения в легированном бором алмазе”, Квантовая электроника, 53 (1), 74–78 (2023).