Научная группа: Лаборатория спектрометрических и радиометрических исследований (Кафедра №1 ИЯФиТ)
Загружается...
Участники
Funders
ID
Авторы
Персона
Орлова, Ксения Николаевна
Руководитель научной группы "Оценка и прогнозирование радиационной стойкости электронной аппаратуры"
Публикации
Публикация
Открытый доступ
АНАЛИЗ ВАТТ-АМПЕРНЫХ ХАРАКТЕРИСТИК СВЕТОДИОДОВ, ИЗГОТОВЛЕННЫХ ИЗ РАЗЛИЧНЫХ МАТЕРИАЛОВ
(НИЯУ МИФИ, 2024) Расул, А. Р.; Орлова, К. Н.
В работе показан анализ изменения формы ватт-амперных характеристик светодиодов, изготовленных из различных полупроводниковых структур AlGaInP, InGaN и GaP при изменении уровня инжекции неосновных носителей заряда в активную область светодиода. Показано, что мощность излучения является критериальным параметром светодиодов, основной светотехнической характеристикой и функцией от приложенного прямого тока. Для светодиодов на основе AlGaInP c множественными квантовыми ямами различного типа монтажа наблюдается существенное снижение мощности излучения для СД желтого цвета свечения. Для приборов на основе GaP наблюдается обратная зависимость. Высказано предположение о проявлении примесных центров в качестве центров безызлучательной рекомбинации. Показано, что с высокой точностью для всех типов светодиодов и изготовленных из различных полупроводниковых структур ватт-амперные характеристики описываются одной степенной функцией. Установлено, что показатель степени a в полученном соотношении определяет режим работы светодиода и характеризует квантовый выход индивидуального прибора и чувствительность фотодиода, используемого при измерениях в фотометрическом шаре и различен для различных диапазонов токов. Сделано предположение о различном поведении СД в указанных диапазонах токов при наличии каких-либо внешних воздействий (наработка, старение, длительная эксплуатация, радиационное воздействие).
Публикация
Открытый доступ
Методика определения светотехнических характеристик светодиодов
(НИЯУ МИФИ, 2025) Орлова, К. Н.; Градобоев, А. В.; Беклемишева, А. В.; Аванесян, А. Р.; Орлова, Ксения Николаевна; Аванесян, Александра Ромиковна
Представлена методика анализа светотехнических характеристик светодиодов (далее СД), которые представлены широким спектром материалов группы AIIIBV, с включением квантовых ям и без, на основе гетероструктур или с использованием монокристаллического материала. Данная методика предназначена для анализа и отбраковки СД, определения их индивидуальных коэффициентов пропорциональности, которые позволяют целенаправленно исследовать вызываемые различными разрушительными воздействиями деградационные процессы в СД. Показано, что на ВтАХ выделяются характерные области протекания рабочего тока: область низких токов НТ, область омического сопротивления СД – R область, область высоких токов ВТ, которые характеризуются собственными коэффициентами пропорциональности и имеют свой физический смысл. Определены физико-математические соотношения, описывающие изменение выходной мощности излучения с ростом прямого тока для СД, изготовленных из перечисленных материалов. Показано применение настоящей методики с количественной оценкой потерь мощности излучения для выбранного типа СД в области НТ и ВТ. Показана зависимость потерь мощности излучения СД в области ВТ от рабочего тока. Представленная методика оценки светотехнических характеристик СД актуальна в случае воздействия спецфакторов (ионизирующее излучения, длительная эксплуатация, электрические поля и т.д.), где потери мощности излучения будут обусловлены индуцированным введением центров безызлучательной рекомбинации.
Публикация
Открытый доступ
Методика определения электрофизических характеристик светодиодов
(НИЯУ МИФИ, 2025) Орлова, К. Н.; Градобоев, А. В.; Беклемишева, А. В.; Аванесян, А. Р.; Орлова, Ксения Николаевна; Аванесян, Александра Ромиковна
Представлена методика анализа электрофизических характеристик светодиодов (далее СД), изготовленных из различных полупроводниковых материалов группы AIIIBV при воздействии внешних факторов, таких как ионизирующее излучение различных видов, длительная эксплуатация, повышенная температура, электрические поля и т.д.). Данная методика предназначена для определения омического сопротивления СД и индивидуальных коэффициентов пропорциональности, которые позволяют целенаправленно исследовать деградационные процессы в СД. Показано, что на вольт-амперных характеристиках (ВАХ) выделяются характерные области протекания рабочего тока: область низких токов (НТ), область омического сопротивления СД – R область, область высоких токов (ВТ). Показано, что сублинейный участок прямой ветви ВАХ прибора с p-n-переходом можно экстраполировать линейной зависимостью, наклон которой определяется его омическим сопротивлением. Определены физико-математические соотношения для омического сопротивления СД, изготовленных из любых материалов. Для исследуемых СД на основе материалов AlGaInP (c множественными квантовыми ямами и без), AlGaN с множественными квантовыми ямами и монокристаллического GaP при протекании прямого тока определены диапазоны напряжений отсечки. Представлена методика, которая может быть использована для анализа работы любых приборов, принцип работы которых основан на использовании p-n-перехода и барьера Шоттки.
Организационные подразделения
Организационная единица
Институт ядерной физики и технологий
Цель ИЯФиТ и стратегия развития - создание и развитие научно-образовательного центра мирового уровня в области ядерной физики и технологий, радиационного материаловедения, физики элементарных частиц, астрофизики и космофизики.
Описание
Направления исследований:
- Повышение эффективности производства приборов на основе p-n перехода
Создание комплекса прогнозных методик и рекомендаций по повышению эффективности производства приборов на основе p-n-переходов, изготовленных из различных материалов с заданными параметрами надёжности и радиационной стойкости, а также по увеличению срока службы светодиодов при радиационном воздействии
- Создание комплекса методик и устройств
Методики измерений ионизирующих излучений, устройств для измерений характеристик радиоактивных аэрозолей и устройств радиометрических и спектрометрических измерений