Персона: Стариковский, Александр Сергеевич
Загружается...
Email Address
Birth Date
Научные группы
Организационные подразделения
Организационная единица
Институт лазерных и плазменных технологий
Стратегическая цель Института ЛаПлаз – стать ведущей научной школой и ядром развития инноваций по лазерным, плазменным, радиационным и ускорительным технологиям, с уникальными образовательными программами, востребованными на российском и мировом рынке образовательных услуг.
Статус
Фамилия
Стариковский
Имя
Александр Сергеевич
Имя
6 results
Результаты поиска
Теперь показываю 1 - 6 из 6
- ПубликацияОткрытый доступВлияниe механических нагрузок на сверхпроводящие свойства ВТСП лент и сборок(НИЯУ МИФИ, 2024) Бородако, К. А.; Осипов, М. А.; Покровский, С. В.; Абин, Д. А.; Веселова, С. В.; Стариковский, А. С.; Руднев, И. А.; Руднев, Игорь Анатольевич; Стариковский, Александр Сергеевич; Осипов, Максим Андреевич; Покровский, Сергей Владимирович; Веселова, Светлана Владимировна; Абин, Дмитрий Александрович; Бородако, Кирилл АнатольевичПроведено исследование деформационной стойкости высокотемпературных сверхпроводящих (ВТСП) лент при различных параметрах деформации. С помощью четырехконтактного метода измерялся критический ток в образцах, деформированных на инденторах диаметрами 5–20 мм растягивающими усилиями до 200 Н. Исследованы повреждения сверхпроводящего слоя и локальные сверхпроводящие свойства подвергнутых механическим воздействиям образцов при помощи сканирующей электронной микроскопии и сканирующей Холловской магнитометрии.
- ПубликацияОткрытый доступВлияние механических деформаций ВТСП лент на токонесущие характеристики при создании CORC кабеля(2023) Веселова, С. В.; Абин, Д. А.; Стариковский, А. С.; Покровский, С. В.; Руднев, И. А.; Новиков, А. С.; Стариковский, Александр Сергеевич; Абин, Дмитрий Александрович; Покровский, Сергей Владимирович; Веселова, Светлана Владимировна; Руднев, Игорь АнатольевичВысокотемпературные сверхпроводящие магниты представляют собой систему со сложной конфигурацией. В процессе создания подобных систем ВТСП ленты могут быть подвержены механическим повреждениям, что влечет за собой ухудшение транспортных характеристик ленты. В данной работе представлены результаты экспериментальных исследований влияния механических напряжений на транспортные характеристики ВТСП лент второго поколения. Были измерены вольт-амперные характеристики различных образцов ВТСП лент второго поколения при их намотке на цилиндрические формеры различного диаметра. Намотка проводилась под углами 22° и 40° относительно оси формера с усилием от 10 до 20 Н. Проведено сравнение различных вариантов намотки и определен оптимальный набор конфигурации намотки, соответствующий минимальной деградации критического тока ленты. При помощи сканирующей холловской магнитометрии определены области локализации дефектов, возникающих при различных вариантах намотки. Все измерения проводились при температуре кипения жидкого азота. Полученные данные позволили рассчитать область протекания продольной и поперечной компоненты тока в каждом отдельном случае.
- ПубликацияОткрытый доступВлияние ионного облучения на структурные параметры сверхпроводящего слоя ВТСП композитов(2023) Абин, Д. А.; Руднев, И. А.; Стариковский, А. С.; Покровский, С. В.; Веселова, С. В.; Осипов, М. А.; Батулин, Р. Г.; Киямов, А. Г.; Федин, П. А.; Прянишников, К. Е.; Кулевой, Т. В.; Осипов, Максим Андреевич; Руднев, Игорь Анатольевич; Покровский, Сергей Владимирович; Стариковский, Александр Сергеевич; Веселова, Светлана Владимировна; Абин, Дмитрий АлександровичИсследовано влияние облучения ионами Cu+ с энергией E = 6.3 эВ на кристаллическую структуру и критические характеристики высокотемпературных сверхпроводников на основе меди в режиме создания радиационных дефектов. Показана деградация сверхпроводящих свойств, рост параметров решетки и величины относительных напряжений, обусловленных беспорядком, вдоль оси c с увеличением флюенса вплоть до полного исчезновения сверхпроводящих свойств при флюенсе F = 1.5 ∙ 1014 см–2.
- ПубликацияОткрытый доступСверхпроводящая магнитная муфта для кинетического накопителя энергии(НИЯУ МИФИ, 2024) Покровский, С. В.; Руднев, И. А.; Мартиросян, И. В.; Осипов, М. А.; Стариковский, А. С.; Абин, Д. А.; Абин, Дмитрий Александрович; Осипов, Максим Андреевич; Стариковский, Александр Сергеевич; Руднев, Игорь Анатольевич; Покровский, Сергей Владимирович; Мартиросян, Ирина ВалерьевнаИзобретение относится к области электротехники, а именно к устройствам бесконтактной передачи крутящего момента с ведущего вала на ведомый и расцепления его. Технический результат заключается в увеличении стабильности вращения ведомого вала и подшипников кинетического накопителя энергии, а также в возможности осуществления бесконтактного расцепления муфты без механического воздействия. Сверхпроводящая магнитная муфта для кинетического накопителя энергии состоит из двух цилиндрических полумуфт. Ведущая полумуфта соединена с внешним приводом движения и содержит держатель с постоянными магнитами, а ведомая полумуфта размещена в охлаждаемой криорефрижератором вакуумной камере на ведомом валу вращения. Оси симметрии двух полумуфт и вала совпадают. Ведущая полумуфта содержит держатель в пазах которого расположено не менее одного постоянного магнита таким образом, чтобы создаваемое ими магнитное поле не обладало вращательной симметрией относительно оси вышеупомянутого вала, а ведомая полумуфта содержит держатель, на поверхности которого, обращенной к постоянным магнитам ведущей полумуфты расположено не менее одного высокотемпературного сверхпроводящего элемента, таким образом, что возникающее от постоянных магнитов ведущей полумуфты магнитное поле проникает в сверхпроводящие элементы. А вокруг боковой поверхности ведомой полумуфты с зазором, обеспечивающим возможность вращения упомянутого выше вала с размещенной на ней ведомой полумуфтой, эквидистантно с ней установлен полый цилиндрический медный экран, имеющий плотный механический контакт с криорефрижератором. На внешнюю поверхность цилиндрического медного экрана противоположную стороне, обращенной к вышеупомянутому крутящемуся валу, намотан нагреватель. 3 ил.
- ПубликацияОткрытый доступБЕСКОНТАКТНЫЙ СВЕРХПРОВОДЯЩИЙ МАГНИТНЫЙ ПОДШИПНИК(НИЯУ МИФИ, 2023) Руднев, И. А.; Подливаев, А. И.; Абин, Д. А.; Покровский, С. В.; Осипов, М. А.; Стариковский, А. С.; Стариковский, Александр Сергеевич; Руднев, Игорь Анатольевич; Абин, Дмитрий Александрович; Покровский, Сергей Владимирович; Подливаев, Алексей Игоревич; Осипов, Максим АндреевичИзобретение относится к электротехнике, а именно к области бесконтактных магнитных подшипников с использованием высокотемпературных сверхпроводящих (ВТСП) лент второго поколения, и может найти применение при конструировании электротехнических устройств различного назначения с массивным вращающимся ротором/валом при бесконтактной передачи момента вращения неподвижному объекту. Технический результат заключается в обеспечении возможности перемещения положения ротора вдоль статора в процессе работы устройства для бесконтактной передачи момента вращения неподвижному объекту, а также возможности осуществления бесконтактного торможения устройства без его остановки. Бесконтактный сверхпроводящий магнитный подшипник состоит из статора в виде полой трубы, выполненной из немагнитного материала, на внешнюю поверхность которой намотаны сверхпроводящие обмотки, системы охлаждения ВТСП-лент и ротора, выполненного из немагнитного материала, причем оси симметрии ротора и статора совпадают. Ротор и статор размещены в корпусе. На одном из краев статора на его внешней поверхности вокруг трубы расположен первый цилиндрический держатель с осью симметрии, совпадающей со статором, с размещенными в нем вплотную друг к другу одинаковыми постоянными магнитами, образующими ряды вдоль оси симметрии статора, причем количество рядов не менее 4 штук. Магниты в центральных рядах держателя имеют одинаковое направление намагниченности вдоль радиального направления, перпендикулярного оси симметрии, а магниты в крайних рядах имеют направление намагниченности, противоположное центральным магнитам. За держателем расположены две сверхпроводящие обмотки, выполненные из ВТСП-лент второго поколения. Длина каждой обмотки равна расстоянию от держателей магнитов до обмотки и расстоянию между обмотками. Как минимум одна из обмоток имеет правую винтовую симметрию, вторая обмотка - левую винтовую симметрию. Каждая из этих двух обмоток представляет собой двухзаходную спираль, состоящую из двух идущих рядом вплотную друг к другу одинаковых ВТСП-лент второго поколения. За обмотками на внешней поверхности статора на расстоянии, равном расстоянию между обмотками, расположен второй идентичный первому держатель с размещенными в нем постоянными магнитами. Внутри статора расположен цилиндрический ротор в виде стержня, на внешней поверхности которого намотаны 4 сверхпроводящие обмотки. Причем 2 обмотки расположены напротив обмоток статора и полностью идентичны им, а две другие обмотки расположены напротив держателей постоянных магнитов. Каждая из этих обмоток состоит из более чем одной ВТСП-ленты, ширина которой не более, чем ширина одного из постоянных магнитов. На одном из торцов ротора расположен внешний источник вращения. 4 ил.
- ПубликацияОткрытый доступМагнитная цилиндрическая муфта на основе стопок ВТСП лент для кинетического накопителя энергии(НИЯУ МИФИ, 2024) Покровский, С. В.; Руднев, И. А.; Мартиросян, И. В.; Осипова, М. А.; Стариковский, А. С.; Абин, Д. А.; Осипов, Максим Андреевич; Покровский, Сергей Владимирович; Руднев, Игорь Анатольевич; Мартиросян, Ирина Валерьевна; Абин, Дмитрий Александрович; Стариковский, Александр СергеевичИзобретение относится к области электротехники, а именно к устройствам бесконтактной передачи крутящего момента. Магнитная цилиндрическая муфта на основе стопок ВТСП лент для кинетического накопителя энергии состоит из двух цилиндрических полумуфт. Ведущая полумуфта содержит постоянные магниты, а ведомая полумуфта размещена в охлаждаемой криорефрижератором вакуумной камере. На внешней поверхности ведущей полумуфты размещены не менее одного ряда постоянных магнитов. На внутренней поверхности ведомой полумуфты напротив каждого постоянного магнита расположены стопки ВТСП лент. Количество стопок совпадает с количеством постоянных магнитов. Вокруг боковой поверхности ведомой цилиндрической полумуфты с зазором установлен полый цилиндрический медный экран, имеющий плотный механический контакт с криорефрижератором. На внешней поверхности цилиндрического медного экрана, на противоположной стороне, обращенной к вышеупомянутой ведомой полумуфте, намотан нагреватель. Достигается увеличении стабильности вращения ведомого вала. 2 ил.