Персона:
Гузняева, Екатерина Александровна

Profile Picture
Email Address
Birth Date
Научные группы
Организационные подразделения
OrgUnit Logo
Организационная единица
Институт нанотехнологий в электронике, спинтронике и фотонике
Институт ИНТЭЛ занимается научной деятельностью и подготовкой специалистов в области исследования физических принципов, проектирования и разработки технологий создания компонентной базы электроники гражданского и специального назначения, а также построения современных приборов на её основе. ​Наша основная цель – это создание и развитие научно-образовательного центра мирового уровня в области наноструктурных материалов и устройств электроники, спинтроники, фотоники, а также создание эффективной инновационной среды в области СВЧ-электронной и радиационно-стойкой компонентной базы, источников ТГц излучения, ионно-кластерных технологий материалов.​
Статус
Фамилия
Гузняева
Имя
Екатерина Александровна
Имя

Фильтры

20191
1
1
Сброс фильтров

Настройки

Автор: Guzniaeva, E. ×

Результаты поиска

Теперь показываю 1 - 1 из 1
Уменьшенное изображение
Публикация
Открытый доступ

Broadband push-pull power amplifier design methodology based on the GaN component base for high-performance nonlinear junction detectors

2019, Klokov, V., Kargin, N., Garmash, A. A., Guzniaeva, E., Клоков, Владимир Александрович, Каргин, Николай Иванович, Гармаш, Александр Александрович, Гузняева, Екатерина Александровна

The paper presents a description of design methodology for wide-band push-pull large-signal power amplifier based on GaN transistor with an output power of more than 10 W for high-performance Nonlinear Junction Detectors, which allows achieving optimal convergence of the theoretical model in practice, as well as increasing the efficiency of the power amplifier while maintaining a linear gain characteristic.

Просмотр