Персона: Антоненко, Сергей Васильевич
Загружается...
Email Address
Birth Date
Научные группы
Организационные подразделения
Организационная единица
Институт нанотехнологий в электронике, спинтронике и фотонике
Институт ИНТЭЛ занимается научной деятельностью и подготовкой специалистов в области исследования физических принципов, проектирования и разработки технологий создания компонентной базы электроники гражданского и специального назначения, а также построения современных приборов на её основе.
Наша основная цель – это создание и развитие научно-образовательного центра мирового уровня в области наноструктурных материалов и устройств электроники, спинтроники, фотоники, а также создание эффективной инновационной среды в области СВЧ-электронной и радиационно-стойкой компонентной базы, источников ТГц излучения, ионно-кластерных технологий материалов.
Статус
Фамилия
Антоненко
Имя
Сергей Васильевич
Имя
2 results
Результаты поиска
Теперь показываю 1 - 2 из 2
- ПубликацияОткрытый доступМетодика приготовления пленок Bi-Sr-Ca-Cu-O различной толщины с помощью многофункциональной исследовательской и технологической установки для элементов приемников ик-излучения(1997) Антоненко, С. В.; Брызгунов, К. В.; Коротков, Д. П.; Антоненко, Сергей Васильевич
- ПубликацияОткрытый доступTailoring Photoluminescence from Si-Based Nanocrystals Prepared by Pulsed Laser Ablation in He-N2 Gas Mixtures(2020) Muratov, A. V.; Fronya, A. A.; Antonenko, S. V.; Kharin, A. Y.; Aleshchenko, Y. A.; Derzhavin, S. I.; Karpov, N. V.; Dombrovska, Y. I.; Garmash, A. A.; Kargin, N. I.; Klimentov, S. M.; Timoshenko, V. Y.; Kabashin, A. V.; Фроня, Анастасия Андреевна; Антоненко, Сергей Васильевич; Алещенко, Юрий Анатольевич; Гармаш, Александр Александрович; Каргин, Николай Иванович; Климентов, Сергей Михайлович; Тимошенко, Виктор Юрьевич; Кабашин, Андрей ВикторовичUsing methods of pulsed laser ablation from a silicon target in helium (He)-nitrogen (N2) gas mixtures maintained at reduced pressures (0.5-5 Torr), we fabricated substrate-supported silicon (Si) nanocrystal-based films exhibiting a strong photoluminescence (PL) emission, which depended on the He/N2 ratio. We show that, in the case of ablation in pure He gas, Si nanocrystals exhibit PL bands centered in the "red - near infrared" (maximum at 760 nm) and "green" (centered at 550 nm) spectral regions, which can be attributed to quantum-confined excitonic states in small Si nanocrystals and to local electronic states in amorphous silicon suboxide (a-SiOx) coating, respectively, while the addition of N2 leads to the generation of an intense "green-yellow" PL band centered at 580 nm. The origin of the latter band is attributed to a radiative recombination in amorphous oxynitride (a-SiNxOy) coating of Si nanocrystals. PL transients of Si nanocrystals with SiOx and a-SiNxOy coatings demonstrate nonexponential decays in the micro- and submicrosecond time scales with rates depending on nitrogen content in the mixture. After milling by ultrasound and dispersing in water, Si nanocrystals can be used as efficient non-toxic markers for bioimaging, while the observed spectral tailoring effect makes possible an adjustment of the PL emission of such markers to a concrete bioimaging task.