Персона:
Мармалюк, Александр Анатольевич

Profile Picture
Email Address
Birth Date
Научные группы
Организационные подразделения
OrgUnit Logo
Организационная единица
Инженерно-физический институт биомедицины
Цель ИФИБ и стратегия развития – это подготовка высококвалифицированных кадров на базе передовых исследований и разработок новых перспективных методов и материалов в области инженерно-физической биомедицины. Занятие лидерских позиций в биомедицинских технологиях XXI века и внедрение их в образовательный процесс, что отвечает решению практикоориентированной задачи мирового уровня – диагностике и терапии на клеточном уровне социально-значимых заболеваний человека.
Статус
Фамилия
Мармалюк
Имя
Александр Анатольевич
Имя

Фильтры

20192
2
Сброс фильтров

Настройки

Имеет файлы: No ×

Результаты поиска

Теперь показываю 1 - 2 из 2
  • Уменьшенное изображение
    Публикация
    Только метаданные
    Pulsed laser module based on a high-power semiconductor laser for the spectral range 1500 - 1600 nm
    (2019) Bobretsova, Yu. K.; Veselov, D. A.; Voronkova, N. V.; Slipchenko, S. O.; Marmalyuk, A. A.; Мармалюк, Александр Анатольевич
    © 2019 Kvantovaya Elektronika, Turpion Ltd and IOP Publishing Ltd.A laser source for bleaching passive Q-switches of erbium-ytterbium lasers is developed and studied. The developed and studied compact pulsed module (peak power exceeding 10 W in a pulse with a duration of 1 μs at a wavelength around 1550 nm) is made on the basis of a semiconductor lasers with an ultra-narrow waveguide integrated with a pulsed pump card. To optimise the output laser characteristics, a series resistance was used in the laser pump circuit. The powers of the free-space and fibre-coupled modules at a temperature of 25 °C are 15 and 12 W, respectively, at a pulse shape close to rectangular.
  • Уменьшенное изображение
    Публикация
    Только метаданные
    Comparative Study of GaAs/GaInP and GaAs/AlGaAs Quantum Wells Grown by Metalorganic Vapor Phase Epitaxy
    (2019) Ladugin, M. A.; Andreev, A. Yu.; Yarotskaya, I. V.; Ryaboshtan, Yu. L.; Marmalyuk, A. A.; Мармалюк, Александр Анатольевич
    This paper presents results of a comparative experimental study aimed at producing GaAs/GaInP and GaAs/AlGaAs quantum wells (QWs) by metalorganic vapor phase epitaxy. The photoluminescence signal of the GaAs/GaInP QWs is shown to have a higher intensity (by a factor of 50-100) and, at the same time, a larger width (by a factor of similar to 2.5) in comparison with the GaAs/AlGaAs QWs. We analyze different approaches to controlling emission spectra of these QWs.