Институт ИНТЭЛ занимается научной деятельностью и подготовкой специалистов в области исследования физических принципов, проектирования и разработки технологий создания компонентной базы электроники гражданского и специального назначения, а также построения современных приборов на её основе.
Наша основная цель – это создание и развитие научно-образовательного центра мирового уровня в области наноструктурных материалов и устройств электроники, спинтроники, фотоники, а также создание эффективной инновационной среды в области СВЧ-электронной и радиационно-стойкой компонентной базы, источников ТГц излучения, ионно-кластерных технологий материалов.
Analysis of Carrier Scattering Mechanisms in AlN/GaN HEMT Heterostructures with an Ultrathin AlN Barrier
2024, Gusev, A. S., Sultanov, A. O., Katkov, A. V., Ryndya, S. M., Siglovaya, N. V., Klochkov, A. N., Ryzhuk, R. V., Kargin, N. I., Borisenko, D. P., Гусев, Александр Сергеевич, Султанов, Азрет Оюсович, Катков, Андрей Викторович, Рындя, Сергей Михайлович, Сигловая, Наталия Владимировна, Клочков, Алексей Николаевич, Рыжук, Роман Валериевич, Каргин, Николай Иванович, Борисенко, Денис Петрович
