Персона:
Рыжук, Роман Валериевич

Profile Picture
Email Address
Birth Date
Научные группы
Логотип проекта
Логотип проекта
Организационные подразделения
OrgUnit Logo
Организационная единица
Институт нанотехнологий в электронике, спинтронике и фотонике
Институт ИНТЭЛ занимается научной деятельностью и подготовкой специалистов в области исследования физических принципов, проектирования и разработки технологий создания компонентной базы электроники гражданского и специального назначения, а также построения современных приборов на её основе. ​Наша основная цель – это создание и развитие научно-образовательного центра мирового уровня в области наноструктурных материалов и устройств электроники, спинтроники, фотоники, а также создание эффективной инновационной среды в области СВЧ-электронной и радиационно-стойкой компонентной базы, источников ТГц излучения, ионно-кластерных технологий материалов.​
Статус
Руководитель научной группы "Лаборатория дизайна и свч измерений центра радиофотоники и СВЧ-технологий"
Фамилия
Рыжук
Имя
Роман Валериевич
Имя

Фильтры

20192
2
2
Сброс фильтров

Настройки

End date: 2019 × Start date: 2019 ×

Результаты поиска

Теперь показываю 1 - 2 из 2
  • Уменьшенное изображение
    Публикация
    Только метаданные
    Nitro Derivatives of Silaprismanes as High-Energy Compounds: Theoretical Study
    (2019) Kochaev, A. I.; Salem, M. A.; Gimaldinova, M. A.; Katin, K. P.; Ryzhuk, R. V.; Kargin, N. I.; Maslov, M. M.; Гимальдинова, Маргарита Александровна; Катин, Константин Петрович; Рыжук, Роман Валериевич; Каргин, Николай Иванович; Маслов, Михаил Михайлович
    We present ab initio study of structures and properties of silaprismanes Si2nH2n and their nitro derivatives Si2nH2n-1NO2 (n = 3-10). We found that silaprismane Si10H9NO2 possesses the highest stability among all studied cages. Attached NO2 group results in weak decreasing of the HOMO-LUMO gap. The smaller prismanes bind with NO2 groups more strongly. The comparison between silaprismanes and carbon prismanes is also discussed.
  • Уменьшенное изображение
    Публикация
    Только метаданные
    Thermal stability of tantalum nitride based thin film resistors
    (2019) Shostachenko, S. A.; Zakharchenko, R. V.; Ryzhuk, R. V.; Leshchev, S. V.; Захарченко, Роман Викторович; Рыжук, Роман Валериевич; Лещев, Сергей Валерьевич
    © 2019 Published under licence by IOP Publishing Ltd. Tantalum nitride thin films were deposited on Al2O3 substrates by the dc-magnetron sputtering technique. The nitrogen content in the argon/nitrogen flow varied from 5 to 50%. Structural properties were studied using X-ray diffraction. The ratio of Ar:N2 was 4:1; the ratio of Ta:N became 1:1. Sheet resistance depends on thickness and is in the range of 20 - 80 Ω/□ due to thickness 100 - 50 nm. The TaN films deposited at a nitrogen/argon ratio of 20% show the thermal stability of the resistance in the 25-400°C temperature range. Sheet resistance degradation was ∼ 5%. The TCR value was determined in the range of 25 - 300 C and was equal to - 21 ppm/K.