2023, Писарев, А. А., Тарасюк, Г. М., Степанова, Т. В., Душик, В. В., Шапоренков, А. А., Степанова, Татьяна Владимировна, Тарасюк, Григорий Михайлович, Писарев, Александр Александрович

Изобретение относится к области термоядерной техники и может быть использовано для создания приемной пластины дивертора токамака, основанного на концепции текущего слоя жидкого лития. В реакционной камере с прогреваемыми стенками размещают медную подложку, сначала в ней создают вакуум, а затем в неё подают водород со скоростью 3 л/ч до давления 5 мм рт. ст. с одновременным включением нагревателей стенок, нагревая таким образом подложку до температуры не менее 500°С и не более 0,8 от абсолютной температуры плавления меди. Подложку выдерживают при этой температуре не более 1 ч. После этого увеличивают скорость подачи водорода до 9 л/ч и вводят гексафторид вольфрама из сосуда, предварительного нагретого до температуры, не превышающей 50°С, со скоростью 3 л/ч таким образом, что общее давление газа в смеси остается постоянным и равным 5 мм рт. ст., а объёмное соотношение WF6:H2 равно 1:3. Таким образом наносят на подложку вольфрам путём разложения гексафторида вольфрама в течение не менее 3 ч. Толщина слоя вольфрама не менее 30 мкм и не более 0,5 мм. Далее подачу водорода и гексафторида вольфрама прекращают и создают в реакционной камере вакуум. Охлаждение проводят в среде водорода, для чего его снова напускают в реакционную камеру до давления не менее 200 мм рт. ст. Полученная приемная пластина дивертора токамака обладает улучшенными эксплуатационными характеристиками за счёт хорошей теплопроводности, стойкости к термоциклированию и коррозионной стойкости к литию, что обеспечивает улучшение срока её службы. 6 ил., 2 табл., 2 пр.

2023, Сорокин, И. А., Колодко, Д. В., Степанова, Т. В., Степанова, Татьяна Владимировна, Колодко, Добрыня Вячеславич

Изобретение относится к вакуумно-плазменной технике, а именно к источникам атомов металлов преимущественно для осаждения тонких металлических пленок на металлические или диэлектрические подложки в вакуумной камере. Технический результат - повышение скорости нанесения покрытий и упрощение конструкции устройства. Устройство для нанесения металлических пленок содержит вакуумную камеру, полый катод, мишень, держатель подложки, источник питания разряда положительным полюсом, соединенный с анодом, а отрицательным полюсом с катодом, а также дополнительный источник напряжения смещения. Полый катод устройства состоит из двух параллельных друг другу плоских электродов, размещенных относительно друг друга на расстоянии от 10 до 40 мм, первый электрод выполнен с возможностью водоохлаждения, при этом на его поверхности установлена мишень из распыляемого материала. Напротив первого электрода параллельно поверхности с установленной мишенью из распыляемого материала размещен второй электрод, выполненный из тугоплавкого материала в виде прозрачной сетки с ячейкой размерами от 10 мкм до 5 мм, за которым параллельно ему размещен держатель подложек на расстоянии до 100 мм. Анодом служат стенки вакуумной камеры, а дополнительный источник напряжения смещения положительным полюсом соединен с отрицательным полюсом источника питания разряда, а отрицательным полюсом с первым электродом катода. 2 ил.